[发明专利]一种带槽基底及其形成方法有效
申请号: | 01143532.1 | 申请日: | 2001-12-05 |
公开(公告)号: | CN1357457A | 公开(公告)日: | 2002-07-10 |
发明(设计)人: | T·S·霍斯泰特勒 | 申请(专利权)人: | 惠普公司 |
主分类号: | B41J2/16 | 分类号: | B41J2/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 章社杲 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基底 及其 形成 方法 | ||
1.一种制造喷墨打印头(100)的方法,包括:
制备打印头基底(102);
在所述基底上制造薄膜结构(101);
在其中要形成输送槽(120)的所述基底的表层区域中形成断开槽结构;
接着对所述基底的断开槽进行研磨加工以形成所述输送槽。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述制造薄膜结构的步骤包括在所述基底的第一表面上制造所述薄膜结构,所述形成断开槽结构的步骤包括在所述基底的所述第一表面中形成所述断开槽结构。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基底的研磨加工步骤包括:从所述基底的第二表面对所述基底进行研磨成孔至所述第一表面中形成的所述断开槽结构。
4.根据前面任何权利要求所述的方法,其特征在于,所述形成断开槽结构的步骤包括通过蚀刻加工蚀刻出所述槽。
5.根据前面任何权利要求所述的方法,其特征在于,所述输送槽具有周边,形成所述断开槽的步骤包括:环绕所述输送槽的所述周边形成一周边断开槽(134)。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,形成所述断开槽结构的步骤还包括在所述周边里面形成一导向槽(132)。
7.根据权利要求1-4中任何一个所述的方法,其特征在于,形成所述断开槽结构的步骤包括在所述输送槽的整个区域上形成一宽槽(152)。
8.根据权利要求1-4中任何一个所述的方法,其特征在于,所述墨水输送槽包括若干间隔的小输送槽(172A-172D),形成所述断开槽结构的步骤包括形成若干小槽(174),每一个对应于所述间隔开的小输送槽。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述基底的研磨加工步骤产生若干基底孤立区(104D1-104D3),保留在隔开所述小输送槽的区域中。
10.根据权利要求1-4中任何一项所述的方法,其特征在于,形成所述断开槽结构的步骤包括在围绕所述待形成输送槽周边的附近形成不相连的止裂槽(226A、226B)。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述不相连的止裂槽包括邻界所述周边的长侧边的左边侧槽和右侧边槽(226A、226B),和临界所述周边的顶边和底边的顶边槽和底边槽(246A、246B)。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述不相连的止裂槽包括邻界所述周边的长侧边的左侧槽和右侧槽(226A、226B),但是在邻界所述周边的顶边和底边的地方没有槽。
13.根据前面任何权利要求所述的方法,其特征在于,所述方法还包括在形成所述断开槽结构之后、在研磨加工所述基底之前,将一隔离层加到所述薄膜结构上。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,还包括将孔板结构固定到所述隔离层上。
15.根据前面任何权利要求所述的方法,其特征在于:
所述制备打印头基底的步骤包括制备一硅基底,且
所述形成断开槽结构的步骤包括用氢氧化四甲铵(TMAH)蚀刻方法蚀刻所述硅基底。
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