[发明专利]在槽内形成衬垫的方法有效
| 申请号： | 01143586.0 | 申请日： | 2001-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1359146A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 阿恩·W·巴兰坦;杰弗里·S·布朗;杰弗里·D·吉尔伯特;詹姆斯·J·圭恩利万;詹姆斯·A·斯林克曼;安东尼·C·斯佩兰扎 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临,王志森 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 衬垫 方法 | ||
1.一种在槽中形成衬垫的方法，其中，在槽的顶部和底部，衬垫具有圆的弯角，该方法包括通过快速热氧化形成衬垫。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，快速热氧化是湿法快速热氧化工艺。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，快速热氧化的温度为约900℃至约1300℃。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，快速热氧化在约1050℃至约1200℃的温度进行。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，衬垫具有最高达约500埃的厚度。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，衬垫具有约40埃至约500埃的厚度。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，衬垫具有约225埃至约450埃的厚度。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行快速热氧化不足3分钟。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行快速热氧化约1秒至约3分钟。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行快速热氧化约20秒至约1分钟。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，槽为浅槽。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，浅槽具有最高达约0.5微米的深度。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在快速热氧化后用绝缘材料填充槽。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，隔离物为氧化硅。
15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，隔离物来自正硅酸乙酯。
16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，快速热氧化是湿法快速热氧化工艺，温度为约1050℃至约1200℃，且衬垫具有约225至约450埃的厚度。
17.一种结构，包括具有衬垫的槽，其通过快速热氧化获得，该衬垫在槽的顶部和底部包括圆的弯角。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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