[发明专利]半导体衬底制备方法

权利要求书

1.一种半导体衬底的制备方法包括：

第一步在GaN衬底上形成凹凸部分；以及

第二步以快至使横向生长的GaN薄膜覆盖垂直生长的GaN薄膜的横向生长速度，在GaN衬底上形成GaN薄膜以便凹凸部分被GaN薄膜所覆盖。

2.权利要求1的方法，其中GaN衬底被形成于蓝宝石衬底和碳化硅衬底之一上。

3.权利要求1的方法，其中第一步包括在GaN衬底上形成一沟槽。

4.权利要求3的方法，其中第二步还包括在沟槽周围的GaN衬底上形成一掩膜。

5.权利要求1的方法，其中第一步包括子步骤：

在GaN衬底上形成第一凹凸部分；以及

将第一凹凸部分转形为含与第一凹凸部分中第一突起不同的第二突起的第二凹凸部分。

6.权利要求5的方法，其中转形第一凹凸部分为第二凹凸部分的子步骤包括在预设温度下生长含第一凹凸部分的GaN衬底，以便使第一突起呈锥形。

7.权利要求5的方法，其中转形第一凹凸部分为第二凹凸部分的子步骤包括刻蚀第一凹凸部分来转形第一突起为第二突起。

8.权利要求4的方法，其中掩膜为氧化物掩膜或氮化物掩膜之一。

9.权利要求5的方法，其中第一凹凸部分被形成为包括第一突起，其表面含顶面和以顶面为边界的斜面，以及第一突起间的凹陷。

10.权利要求9的方法，其中第二凹凸部分被形成为包括带尖端的锥形的第二突起和第二突起间的凹陷。

11.权利要求6的方法，其中在900-1100℃温度下GaN衬底被生长。