[发明专利]熔断丝电路

权利要求书

1.一种熔断丝电路，包括：

一端为共同连接的电熔断丝元件；

其构成为给上述电熔断丝元件的一端的共同节点选择性地加上用来破坏上述电熔断丝元件的编程电压和用来读出上述电熔断丝元件的破坏/非破坏状态的读出电压的电压产生部分；和

其构成为在从上述电压产生部分给上述共同节点加上读出电压时，从上述电熔断丝元件的另一端读出上述破坏/非破坏状态的读出部分。

2.根据权利要求1所述的熔断丝电路，

上述电熔断丝元件分别是电容器，每一个上述电容器的一方的电极，都在半导体衬底中的阱区内形成而且为上述各个电容器所共用，

在为至少使一个上述电容器进行绝缘破坏而进行编程时，从上述电压产生部分给上述阱区域加上编程电压，

至少在读出上述电容器的破坏/非破坏状态时，从上述电压产生部分给上述阱区域加上读出电压。

3.根据权利要求1所述的熔断丝电路，

上述电熔断丝元件分别是沟槽电容器，每一个上述电容器的构成为具备：在半导体衬底中的阱区域内形成且为各个沟槽电容器所共用的第1电极、含有在在上述半导体衬底上贯通上述阱区域地设置的沟槽的内壁上分别形成的电容器绝缘膜和埋入到上述沟槽内的导电层的第2电极，

在为至少使一个上述电容器进行绝缘破坏而进行编程时，从上述电压产生部分给上述第1电极加上编程电压，

至少在读出上述电容器的破坏/非破坏状态时，从上述电压产生部分给上述第1电极加上读出电压。

4.根据权利要求1所述的熔断丝电路，

上述电压产生部分，具备向上述电熔断丝元件流入读出电流的电流供给电路，

上述读出部分，具备检测通过上述电熔断丝元件流动的读出电流的大小以判断电熔断丝元件的破坏/非破坏状态的判定电路，

上述电流供给电路和上述判定电路，至少在读出上述电熔断丝元件的破坏/非破坏状态时被激活化。

5.根据权利要求4所述的熔断丝电路，上述电流供给电路，具备上述产生恒定电压的恒定电压产生器，采用给上述电熔断丝元件加上恒定电压的办法流动恒定电流。

6.根据权利要求4所述的熔断丝电路，上述电流供给电路，通过NMOS晶体管的电流通路供给电流，上述NMOS晶体管的栅极电位实质上与电源电压是同一电位。

7.根据权利要求4所述的熔断丝电路，上述电流供给电路，通过NMOS晶体管的电流通路供给电流，至少在上述电熔断丝元件的破坏/非破坏状态的读出时，使上述NMOS晶体管的栅极电位变成为比给电源电压加上上述NMOS晶体管的阈值电压后的值还高的电压，而且，至少在上述电熔断丝元件的破坏时变成为电源电压或接地电位。

8.根据权利要求4所述的熔断丝电路，上述判定电路，具备检测在上述电熔断丝元件中流动的读出电流，从初始状态反转并保持状态的状态保持部分、和与读出开始信号同步地确定上述状态保持部分的初始状态的初始设定部分，以判断上述电熔断丝元件的破坏/非破坏状态。

9.根据权利要求4所述的熔断丝电路，上述判定电路，具备检测在上述电熔断丝元件中流动的读出电流，从初始状态反转并保持状态的状态保持部分、和使上述电熔断丝元件进行电分离或进行电连接的第1分离连接部分，至少在读出上述电熔断丝元件的破坏/非破坏状态时，借助于上述第1分离连接部分使上述状态保持部分和上述电熔断丝元件进行电连。

10.根据权利要求4所述的熔断丝电路，上述判定电路的电源电压，在上述电熔断丝元件已被破坏时，与通过上述电熔断丝元件加到上述判定电路上的电压实质上是同一电压，至少其电位差比NMOS晶体管的阈值电压小。

11.根据权利要求8所述的熔断丝电路，上述读出开始信号，与采用电源电压和内部电源电位变成为规定的电位，可以开始通常动作的办法输出的信号同步地产生。

12.根据权利要求8所述的熔断丝电路，上述读出开始信号，与使在电源电压投入后，每当在一连串的通常动作开始前输出的内部信号变成为初始状态的信号同步地产生，由上述读出部分实施的上述电熔断丝元件的破坏/非破坏状态的读出动作，每当进行一连串的通常动作时在开始通常动作前进行。