[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

以第一导电层形成的具有螺旋图形的螺旋电感器；和

夹着绝缘膜在上述螺旋电感器的上方或下方配置的、接地或与恒压电源连接的、由第二导电层构成的电磁波屏蔽层；

上述电磁波屏蔽层，在通电时因上述螺旋电感器在上述螺旋图形的中央产生的磁力线通过的区域上具有开口部。

2.一种半导体装置，其特征在于包括：

以第一导电层形成的具有螺旋图形的螺旋电感器；和

夹着绝缘膜在上述螺旋电感器的上方或下方配置的、接地或与恒压电源连接的、由第二导电层构成的电磁波屏蔽层；

上述电磁波屏蔽层具有以不形成回绕在通电时因上述螺旋电感器在上述螺旋图形的中央产生的磁力线的周围的电流路径的方式，隔断该回绕路径的缝隙。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

上述缝隙具有从通电时因上述螺旋电感器在上述螺旋图形的中央产生的磁力线通过的区域的中心向上述电磁波屏蔽层的周边部分延伸的缝隙图案。

4.一种半导体装置，其特征在于包括：

以第一导电层形成的具有螺旋图形的螺旋电感器；和

夹着绝缘膜在上述螺旋电感器的上方或下方配置的、接地或与恒压电源连接的、由第二导电层构成的电磁波屏蔽层；

上述电磁波屏蔽层具有，在通过通电时因上述螺旋电感器在上述螺旋图形的中央产生的磁力线的区域上设置的开口部、以及从上述开口部向上述电磁波屏蔽层的周边部分延伸的缝隙。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：上述开口部在上述电磁波屏蔽层的与上述螺旋电感器的螺旋图形的最内侧一圈包围的区域相对应的区域内形成。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：上述开口部在上述电磁波屏蔽层的与上述螺旋电感器的螺旋图形的最内侧一圈包围的区域相对应的区域的中心部部上，并占该区域的面积的50～90％。

7.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：上述开口部在上述电磁波屏蔽层的与上述螺旋电感器的螺旋图形的最内侧一圈包围的区域相对应的区域内形成。

8.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：上述开口部在上述电磁波屏蔽层的与上述螺旋电感器的螺旋图形的最内侧一圈包围的区域相对应的区域的中心部分上，并占该区域的面积的50～90％。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

上述螺旋电感器是在模拟电路或RF电路内形成的。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

上述模拟电路或RF电路在同一衬底上与数字电路混载。