[发明专利]波长监控设备无效
| 申请号： | 01144939.X | 申请日： | 2001-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1361608A | 公开（公告）日： | 2002-07-31 |
| 发明（设计）人： | 橘高重雄;小山正;佐佐木康二 | 申请（专利权）人： | 日本板硝子株式会社 |
| 主分类号： | H04J14/02 | 分类号： | H04J14/02;H04B10/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波长 监控 设备 | ||
1.一种波长监控设备，其包括：
由周期多层结构制成的光学装置；
与所述周期多层结构的至少一个端面光学耦合的光源，所述一个端面与所述周期多层结构的层面不平行；和
光束探测装置，其用来探测相对于特定波长以特定角度从所述周期多层结构的至少一个端面出射的光束，所述一个端面与所述周期多层结构的所述层面平行。
2.根据权力要求1所述的波长监控设备，其特征在于：所述光学装置由形成在基体上的多层膜制成，所述基体可透过所使用的波长。
3.根据权力要求1所述的波长监控设备，其特征在于：所述光学装置由周期多层结构制成，所述周期多层结构具有垂直于基体表面的层面。
4.根据权力要求1所述的波长监控设备，其特征在于：所述光源由半导体激光器构成。
5.根据权力要求1所述的波长监控设备，其特征在于：所述光束探测装置由至少一个光探测器构成。
6.根据权力要求2所述的波长监控设备，其特征在于：所述光学装置、半导体激光器和光探测器安装在同一基体上。
7.根据权力要求6所述的波长监控设备，其特征在于：通过在所述基体上设置水平差，使从半导体激光器发出的光束耦合到所述多层膜的光入射端面上，其中所述多层膜形成在所述基体上。
8.根据权力要求6所述的波长监控设备，其特征在于：所述光探测器设置在与所述基体表面相对的表面上，其中所述多层膜形成在所述基体上。
9.根据权力要求3所述的波长监控设备，其特征在于：所述光学装置、半导体激光器和光探测器安装在同一个基体上。
10.一种波长监控设备，其包括：
具有周期多层结构的光学装置，所述周期多层结构至少限定了第一表面和第二表面，所述第一表面基本上垂直于周期多层结构的层面而所述第二表面基本上平行于周期多层结构的层面；
面对所述第一表面的半导体激光器；和
面对所述第二表面的光探测器。
11.根据权利要求10所述的波长监控设备，其还包括：
支撑所述光学装置、半导体激光器和光探测器的共同基体。
12.根据权利要求11所述的波长监控设备，其特征在于：所述基体是透明的，并与所述周期多层结构的第二表面相接触。
13.根据权利要求11所述的波长监控设备，其特征在于：所述基体与所述周期多层结构第一和第二表面以外的表面相接触。
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