[发明专利]用于合成光纤基质的喷嘴检测装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于合成光纤基质的喷嘴检测装置。

背景技术

图4典型示出光纤基质的制造装置的例子。制造装置1利用汽相轴向附着方法(VAD方法)制造光纤基质11。光纤基质的制造装置1具有反应容器2，反应容器2的内部形成光纤基质的生长室2a。制造装置1还具有用于生长室2a的排气管3、母棒4、用于形成芯的喷嘴5、以及用于形成包层的喷嘴6。

例如，用于形成芯的喷嘴5是直径不同的多管喷嘴。例如，多个管是二氧化硅等制成的玻璃管，而且多管喷嘴形成为多个管的中心轴同心。形成芯的喷嘴5通过把可燃气体、四氯化硅气体和少量气体添加剂诸如四氯化锗等混合形成氢氧焰8。粒子10(二氧化硅)由四氯化硅的火焰水解反应形成。添加剂二氧化锗等的粒子由诸如四氯化锗等的添加气体的火焰水解反应形成。

上述二氧化硅粒子10沉积在母棒4的顶部，而光纤基质的芯部沿着纵向生长。在这种情况下，例如，添加剂诸如二氧化锗的粒子等也与二氧化硅粒子10一起沉积在母棒4的顶部。芯通过在母棒4的顶部沉积添加剂和二氧化硅而生长(形成)。母棒4连接到驱动件上(该装置没有示出)，并通过在旋转母棒4的同时操作所述驱动件逐渐拉出。

形成包层的喷嘴6具有与用于形成芯的喷嘴5类似的结构。喷嘴6在喷嘴5制成的芯周围形成包层。

例如，光纤通过熔结制造，并把光纤基质11形成为玻璃化，进一步把光纤基质11拔丝。

因为光纤基质11中的添加剂的径向分布状态决定光纤的折射率分布，因此该分布状态十分重要。然而，该添加剂的分布状态在由同一制造装置1制造的光纤基质11中基本上相同，但是当制造装置1改变时该分布状态发生变化。因此，由光纤基质11制成的光纤元件不一致。

光纤基质11中的添加剂的分布状态不同的一个原因是对于每个制造装置1，形成芯的喷嘴5的顶部的形状和顶部的尺寸即顶部的直径或厚度不同。

因此采用下述措施把配置在每个制造装置1中的用于形成芯的喷嘴5的顶部尺寸设置成基本上相等。即，检测喷嘴5的顶部尺寸，并根据所述检测结果把尺寸基本上相同的喷嘴5配置在每个制造装置1上。

然而，用于形成芯的喷嘴5由玻璃管制成，在例如外径为大约20mm的四重管时容易破碎。因此，在使用接触型测量仪器诸如卡尺等测量喷嘴5的顶部尺寸时，发生喷嘴5的顶部被测量仪器变形的情况。当形成芯的喷嘴5的顶部变形时，就不能精确测量喷嘴5顶部的尺寸。

提出过一种测量喷嘴5的顶部尺寸的非接触型装置，但是检测装置的精度低。即，对于喷嘴5的顶部尺寸测量所要求的精度必须高于0.02mm，但是所提出的检测装置的最高精度大约为0.02mm。

因此，传统上不能以高精度测量喷嘴5的顶部尺寸，这就是难以保持每个制造装置1中喷嘴5的顶部尺寸一致的原因。

发明内容

本发明中用于合成光纤基质的喷嘴检测装置的一个方面是该装置必须能够非接触地精确检测喷嘴顶部。

本发明的用于合成光纤基质的喷嘴的检测装置包括：

平台，用于放置合成光纤基质的喷嘴；

背景照明部分，用于从后部朝位于喷嘴平台上的喷嘴发射光；以及

图象接收器，用于接收喷嘴顶部的图象，所述图象由背景照明部分发射的光形成。

附图说明

现在将结合附图描述本发明的实施例，其中：

图1是本发明的用于合成光纤基质的喷嘴检测装置的透视图；

图2是图1所示喷嘴检测装置的侧视图；

图3是检测装置的第二实施例的视图；

图4是用于制造光纤基质的装置的视图。

具体实施方式

下面将根据附图具体描述本发明的实施例。图1是用于合成光纤基质的喷嘴的检测装置的透视图。图2是图1所示检测装置的侧视图。

如图1和2所示，检测装置15包括底座(base)16、设置在所述底座16上的XY平台(stage)部分17、背景照明部分18、喷嘴固定件19、喷嘴定位件20、平面镜部分21和显微镜22。

XY平台部分17具有XY台面24(table)、沿着X轴移动的部件25、和沿着Y轴移动的部件26。喷嘴放置在XY台面24上。部件25沿着X轴移动XY台面24，而部件26沿着Y轴移动XY台面24。在第一实施例中，XY平台部分17制成手工沿着X和Y方向移动XY台面24。