[发明专利]光掩模的制造方法无效
申请号: | 01145446.6 | 申请日: | 2001-08-29 |
公开(公告)号: | CN1356592A | 公开(公告)日: | 2002-07-03 |
发明(设计)人: | 伊藤正光;野嶋茂树;三本木省次;池永修 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;H01L21/027 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 | ||
1.一种制造光掩模的方法包括:
在形成光掩模的图案后,测定形成的图案的尺寸,求得上述图案尺寸的平均值及面内均匀性;
根据上述图案尺寸的平均值及上述面内均匀性,求出使用上述光掩模时的曝光裕度;和
根据上述曝光裕度是否满足所期望的曝光裕度这个条件,来判断上述光掩模是否合格。
2.一种制造相移掩模的方法包括:
在形成半色调相移掩模的图案后,测定形成的图案的尺寸,求得上述图案尺寸的平均值及面内均匀性;
求出上述半色调相移掩模中含有的半遮光部的透光率平均值及面内均匀性,以及上述半遮光部移相量的平均值及面内均匀性;
根据上述图案尺寸的平均值及面内均匀性、上述透光率的平均值及面内均匀性、以及上述移相量的平均值及面内均匀性,求出使用上述半色调相移掩模时的曝光裕度;和
根据上述曝光裕度是否满足所期望的曝光裕度这个条件,来判断上述半色调相移掩模是否合格。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于在求出上述透光率的平均值及面内均匀性以及上述移相量的平均值及面内均匀性的步骤中,上述面内均匀性利用对在前制造的掩模所求的值,对后制造的掩模不求该值。
4.一种制造相移掩模的方法包括:
在形成罗宾逊型相移掩模的图案后,测定形成的图案的尺寸,求得上述图案尺寸的平均值及面内均匀性;
求出上述罗宾逊型相移掩模所包含的透光部的移相量平均值及面内均匀性;
根据上述图案尺寸的平均值及面内均匀性以及上述移相量的平均值及面内均匀性,求出使用上述罗宾逊型相移掩模时的曝光裕度;和
根据上述曝光裕度是否满足所期望的曝光裕度这个条件,来判断上述罗宾逊型相移掩模是否合格。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于在求出上述移相量的平均值及面内均匀性的步骤中,
上述面内均匀性利用对在前制造的掩模所求的值,对后制造的掩模不求该值。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于上述曝光裕度由散焦裕度和曝光量裕度定义。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于上述曝光裕度由散焦裕度和曝光量裕度定义。
8根据权利要求4所述的方法,其特征在于上述曝光裕度由散焦裕度和曝光量裕度定义。
9.一种制造光掩模的方法包括:
预先求出得到所期望的曝光裕度的光掩模图案尺寸的平均值及面内均匀性的关系;
形成光掩模图案后,测定形成的图案的尺寸,求得上述图案尺寸的平均值及面内均匀性;和
将上述预先求得的期望曝光裕度的图案尺寸的平均值及面内均匀性的关系和通过上述测定而求得的图案尺寸平均值及面内均匀性进行比较,根据上述光掩模是否满足上述期望曝光裕度,判断上述光掩模是否合格。
10.一种制造相移掩模的方法包括:
预先求出得到所期望的曝光裕度的半色调相移掩模图案尺寸的平均值及面内均匀性、上述半色调相移掩模所包含的半遮光部的透光率平均值和面内均匀性和上述半遮光部移相量平均值及面内均匀性的关系;
形成半色调相移掩模图案后,测定形成的图案的尺寸,求得上述图案尺寸的平均值及面内均匀性;和
求出上述半色调相移掩模所包含的半遮光部的透光率平均值和面内均匀性、和上述半遮光部移相量平均值及面内均匀性;
将上述预先求得的期望曝光裕度的图案尺寸的平均值及面内均匀性、上述半遮光部的透光率平均值和面内均匀性以及上述半遮光部移相量平均值及面内均匀性的关系和通过上述测定而求得的图案尺寸平均值及面内均匀性、上述半遮光部的透光率平均值和面内均匀性和上述半遮光部移相量平均值及面内均匀性进行比较,根据上述半色调相移掩模是否满足上述期望曝光裕度,判断上述半色调相移掩模是否合格。
11.根据权利要求2所述的方法,其特征在于在上述预先求得所期望曝光裕度的关系的步骤和形成上述半色调相移掩模图案后求出上述透光率平均值及面内均匀性以及上述移相量平均值及面内均匀性的步骤中,
上述面内均匀性利用对在前制造的掩模所求的值,对后制造的掩模不求该值。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备