[发明专利]表面声波器件及其所用的压电基体无效
| 申请号： | 01145485.7 | 申请日： | 2001-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1359194A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 井上憲司;佐藤胜男;守越広树;川嵜克己;佐藤淳 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 声波 器件 及其 所用 压电 基体 | ||
1.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中：
压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和
发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，30°≤θ≤90°，和-65°≤φ≤65°的区内。
2.如权利要求1的表面声波器件，其中θ的范围为35°-80°和φ的范围为-55°-55°。
3.如权利要求2的表面声波器件，其中θ的范围为45°-70°和φ的范围为-15°-15°。
4.如权利要求2的表面声波器件，其中θ的范围为40°-60°和φ的范围为15°-50°。
5.如权利要求2的表面声波器件，其中θ的范围为40°-60°和φ的范围为-50°--15°。
6.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中：
压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和
发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，120°≤θ≤155°，和65°≤φ≤85°的区内。
7.如权利要求6的表面声波器件，其中θ的范围为125°-145°和φ的范围为75°-85°。
8.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中：
压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和
发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，120°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-65°的区内。
9.如权利要求8的表面声波器件，其中θ的范围为125°-145°和φ的范围为-85°--75°。
10.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中：
压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和
发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为2.5°≤Φ≤7.5°，30°≤θ≤90°，和-75°≤φ≤60°的区内。
11.如权利要求10的表面声波器件，其中θ的范围为35°-80°和φ的范围为-65°-50°。
12.如权利要求11的表面声波器件，其中θ的范围为45°-70°和φ的范围为-10°-20°。
13.如权利要求11的表面声波器件，其中θ的范围为35°-60°和φ的范围为-60°--25°。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01145485.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
