[发明专利]驱动电子发射装置、电子源和成像装置的方法和电路

权利要求书

1.一种驱动电子源的方法，所述电子源设置得与阳极电极相对，

电子源包括多个电子发射装置，每个电子发射装置包括阴极电极、栅电极和在阴极电极上设置的电子发射膜，

其中如果将施加给阴极电极的阴极电压称为Vc，将施加给栅电极的栅极电压称为Vg，

将满足条件(Vg-Vc)＞0的电压施加给多个电子发射装置中应当发射电子的每个电子发射装置以及

将满足条件(Vg-Vc)＜0的电压施加给除应当发射电子的电子发射装置以外的每个电子发射装置。

2.一种驱动电子发射装置的方法，所述电子发射装置设置得与阳极电极相对，

电子发射装置包括栅电极和电子发射膜，栅电极设置在阴极电极上，在栅电极与阴极电极之间有绝缘层，电子发射膜设置在阴极电极的表面区域上，表面区域位于由绝缘层和栅电极形成的孔内。

其中如果将施加给阴极电极的阴极电压称为Vc，将施加给栅电极的栅极电压称为Vg，

将满足条件(Vg-Vc)＞0的电压施加给引起电子发射的电子发射装置以及

将满足条件(Vg-Vc)＜0的电压施加给终止电子发射的电子发射装置。

3.一种驱动电子发射装置的方法，所述电子发射装置设置得与阳极电极相对，

电子发射装置包括阴极电极、栅电极和设置在阴极电极上的电子发射膜，

其中如果将施加给阴极电极的阴极电压称为Vc，将施加给栅电极的栅极电压称为Vg，将施加给阳极电极的阳极电压称为Va，将栅电极与阴极电极之间的距离称为h，将阳极电极与电子发射装置之间的距离称为H；

满足条件{(Vg-Vc/h)}/(Va/H)≤100，

将符合条件(Vg-Vc)＞0的电压施加给引起电子发射的电子发射装置；以及

将符合条件(Vg-Vc)＜0的电压施加给终止电子发射的电子发射装置。

4.一种驱动电子发射装置的方法，所述电子发射装置设置得与阳极电极相对，

电子发射装置包括设置在栅电极上的阴极电极，在这两个电极间设置了绝缘层，在阴极电极上设置电子发射膜。

其中如果将施加给阴极电极的阴极电压称为Vc，将施加给栅电极的栅极电压称为Vg，

将满足条件(Vg-Vc)＞0的电压施加给引起电子发射的电子发射装置以及

将满足条件(Vg-Vc)＜0的电压施加给终止电子发射的电子发射装置。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中，如果(a)将施加给阳极电极的阳极电压称为Va，将阴极电极与阳极电极之间的距离称为H，将阴极电极与栅电极之间的距离称为h，

(b)将平均电场强度设定为Eg＝(Vg-Vc)/h，所述电场强度施加在阴极电极与栅电极之间，用以引起电子从电子发射装置发射出来以及

(c)将电子发射装置与阳极电极之间施加的平均电场强度设定为Ea＝Va/H，满足条件Eg/Ea≤100。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中如果(a)将施加给阳极电极的阳极电压称为Va，将阴极电极与阳极电极之间的距离称为H，将阴极电极与栅电极之间的距离称为h，

(b)将平均电场强度设定为Eg＝(Vg-Vc)/h，所述电场强度施加在阴极电极与栅电极之间，用以引起电子从电子发射装置发射出来以及

(c)将电子发射装置与阳极电极之间施加的平均电场强度设定为Ea＝Va/H，满足条件Eg/Ea≤10。

7.根据权利要求1、5和6中任一项所述的方法，

其中将阴极电极和栅电极叠置起来，二者之间是绝缘层，

电子发射膜基本上是平坦的以及

电子发射膜基本上平行于阳极电极设置。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中通过栅电极和绝缘层形成宽度为w1的孔，

在孔内设置电子发射膜以及

满足条件w1/h1≥1，其中h1为孔的深度。

9.根据权利要求1和5到6中任一项所述的方法，

其中从电子发射膜发射出电子所需的电场等于或低于5×10⁷V/m以及

如果将施加给阳极电极的阳极电压称为Va，将阴极电极与阳极电极之间的距离称为H，则Ea＝Va/H等于或高于5×10⁶V/m。