[实用新型]过电流保护装置无效
申请号: | 01204205.6 | 申请日: | 2001-02-16 |
公开(公告)号: | CN2475211Y | 公开(公告)日: | 2002-01-30 |
发明(设计)人: | 陈文祺 | 申请(专利权)人: | 亚力电机股份有限公司 |
主分类号: | H02H7/122 | 分类号: | H02H7/122 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 保护装置 | ||
1、一种过电流保护装置,其特征在于:其包括:
一直流升压电路,其设有多组脉宽调变控制器,各脉宽调变控制器具有一禁闭接脚端及两脉宽调变信号输出接脚端,该脉宽调变控制器的两脉宽调变信号输出接脚分别与开关组件的闸极相连接,各开关组件的泄极与变压器的初级端连接,各变压器的次级端与整流器连接,该直流升压电路由脉宽调变控制器推动开关组件工作,并经变压器、整流器将电池电压转换整流成直流高压;及
多组比较电路,分别连接至脉宽调变控制器的禁闭接脚端、脉宽调变信号输出接脚端与开关组件的泄极间,各比较电路在流过开关组件的电流过大时,即呈高阻抗状态,此时,推动各开关组件的脉波信号回至脉宽调变控制器的禁闭接脚端,以抑止该脉波信号,达到保护开关组件。
2、根据权利要求1所述的过电流保护装置,其特征在于:直流升压电路的开关组件由多数金氧半导体场效应晶体管(MOSFET)与电阻组成。
3、根据权利要求1所述的过电流保护装置,其特征在于:各比较电路包括:
一运算放大器;
一第1偏压电阻,连接于该运算放大器的输入正端,且与一齐纳二极管的一端共接,齐纳二极管的另端接地,第1偏压电阻的另端连接于一电压源;
一第2偏压电阻,连接于该运算放大器的输入正端;
一第1二极管,连接于第2偏压电阻的另端,第1二极管的负端系与开关组件的泄极连接;
一第3偏压电阻,连接于该运算放大器的输入负端,且与一第1电容并接,第3偏压电阻的另端接地;
一第4偏压电阻,连接于该运算放大器的输入负端,第4偏压电阻的另端与电压源连接;
一电阻,连接于该运算放大器的输出端,且与一第2电容相连接,第2电容的另端接地,电阻的另端与该脉宽调变控制器的一脉宽调变信号输出接脚连接;以及
一第2二极管,连接于该运算放大器的输出端,第2二极管的负端与该脉宽调变控制器的禁闭接脚端连接。
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