[实用新型]一种电流调制增益耦合激光器

权利要求书

1、一种电流调制增益耦合激光器，其特征在于在InP衬底上表面生长一层介质膜，以介质膜光栅图形为掩体向衬底作选择离子注入，在栅格间隙的衬底表面层内形成离子注入区光栅，除去介质掩膜，在平整的光栅面上连续外延生长缓冲层、MQW有源层和上掩埋层等层结构，用光刻技术作出脊形波导激光器。

2、如权利要求1所述的电流调制增益耦合激光器，其特征在于p-InP衬底可选择n型离子源例如Si，S，Se，Te，Sn作注入，形成反型注入岛区22，亦可选择中性质子源例如He⁺，H⁺或过渡金属Ti作注入，形成补偿注入高阻岛区32。

3、如权利要求1所述的电流调制增益耦合激光器，其特征在于n-InP衬底可选择P型离子源例如Be，Zn，Mg，Cd作注入，形成反型注入岛区42。

4、如权利要求1所述的电流调制增益耦合激光器，其特征在于外延掩埋层结构中，在MQW有源层与衬底光栅界面之间生长有一层p-InP缓冲薄层23或33。

5、如权利要求1所述的电流调制增益耦合激光器，其特征在于外延掩埋层结构中，在MQW有源层与衬底光栅界面之间生长有一层n-InP缓冲薄层43。

6、如权利要求1所述的电流调制增益耦合激光器，其特征在于MQW有源层上的掩埋层25和35包括四元n型刻蚀终止层、n-InP覆盖层和重掺杂n型电极接触层。

7、如权利要求1所述的电流调制增益耦合激光器，其特征在于MQW有源层上的掩埋层45包括四元p型刻蚀终止层、p-InP覆盖层和重掺杂p型电极接触层。

8、如权利要求1所述的电流调制增益耦合激光器，其特征在于MQW有源区的综合应变可以是压应变、张应变或应变补偿材料，也可以是体材料。