[实用新型]加有离子源的有机蒸发镀膜装置无效

专利信息
申请号: 01208448.4 申请日: 2001-03-07
公开(公告)号: CN2466159Y 公开(公告)日: 2001-12-19
发明(设计)人: 初国强;刘星元;刘云;王立军 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: C23C14/46 分类号: C23C14/46
代理公司: 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人: 李恩庆
地址: 130022 *** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 离子源 有机 蒸发 镀膜 装置
【说明书】:

实用新型属于电致发光技术领域,是一种附加有离子源的有机蒸发镀膜装置。

有机电致发光器件,是一种把电能直接转化为光能的器件,它的一般结构是三明治结构,在一金属阴极和一透明阳极之间夹一层或多层有机薄膜,通常称有机层。有机层是利用有机分子在蒸发状态下,分子的迁移,生长在特备的衬底上。制备电致发光器件的有机层,通常使用真空蒸发镀膜机。有机材料蒸发温度较低,有机分子在低的温度下,迁移率相对也较低,成膜时往往存在很多孔隙。含有孔隙的有机层放在空气中,水和氧气就会进入膜中,在加入电的情况下,水和氧就会同有机物发生反应,使有机层遭到破坏,这种有机层制备的发光器件,寿命将缩短,发光质量下降。

为了减少有机层成膜时的孔隙,保证发光器件有机层的质量和寿命,本实用新型对现有的有机蒸发镀膜机进行改进,目的是提供一种改善有机蒸发镀膜成膜性能的装置。

图1是本实用新型的结构图。图中1为加热器,2控制片,3衬底基片,4离子束,5考夫曼离子源,6蒸发源,7真空接口,8电源和气体源。

普通的真空有机蒸发镀膜机包括有加热器1,控制片2,真空接口7。衬底基片3放置在加热器1和蒸发源6之间。蒸镀时,先将衬底基片3放在加热器1的下面,并把蒸发源6安放在衬底基片和控制片2的下面,使衬底基片3保持在加热器1和蒸发源6之间,然后把真空接口7接入真空系统,使镀膜机密闭容器保持所需的真空度。最后加热,开始蒸镀。

本实用新型的特征是在镀膜机密闭容器中,同蒸发源6相近的高度位置上,安放离子辅助蒸发装置,这种离子辅助蒸发装置可以是考夫曼离子源5,并且使考夫曼离子源5发出的离子束4射向衬底基片3。考夫曼离子源5在镀膜机密闭容器的外部通过导线和管道连有电源和气体源8。

本实用新型的离子源发射出的离子,作用在分子上的能量为0.1ev~10ev。

使用本实用新型可以提高有机层的聚集密度,例如可以把喹啉铝的聚集密度由原来的0.9提高到0.97以上,表面粗糙度降低一倍以上,电子迁移率提高20%,寿命提高50%。

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