[实用新型]便携式管激发X射线荧光仪无效
申请号: | 01214296.4 | 申请日: | 2001-02-27 |
公开(公告)号: | CN2491832Y | 公开(公告)日: | 2002-05-15 |
发明(设计)人: | 贾文懿;周蓉生;马英杰;方方;侯新生 | 申请(专利权)人: | 成都理工学院 |
主分类号: | G01N23/223 | 分类号: | G01N23/223 |
代理公司: | 成都中亚专利代理有限公司 | 代理人: | 胡松涛 |
地址: | 610059 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 便携式 激发 射线 荧光 | ||
本实用新型涉及一种放射性地球物理学的测量设备,特别是一种便携式管激发X射线荧光仪。
X射线荧光仪由于是一种能够实现现场物质成分快速、无损分析的重要仪器设备,所以应用极为广泛。如:普查找矿、矿产勘探、采矿选冶、环境保护、材料分析、镀层测定、黄金检测、建筑材料、石油化工、生物医学、考古分析....等等领域都要用上。X射线荧光仪最早的产品由于体积庞大,只能在试验室应用。现在各国都在竟相研制更加现代化的便携式X射线荧光仪,我国便携式X射线荧光仪,早期产品采用放射性核素源做放射源,一是不便进行高灵敏度的测量,二是对工作场所会产生一定程度的核污染。
本实用新型的目的在于向公众提供一种能够进行多元素全谱测量,事时显示、快速计算和无任何污染的便携式管激发X射线荧光仪。
以下是本实用新型的技术方案和措施。
本实用新型是由探测头和主机所构成的便携式管激发X射线荧光仪,其特征在于;探测头1由30KV高压电源3和可控X光管4连接,以及X射线探测器5及其输出线通过电缆连接插头座6与主机连接;主机从上部至下部的结构顺序是荧光板和盖板2、高压操作台面板7、笔记本电脑8、道脉冲幅度分析器(MCA)9、主放大器10、中低压供电电源11和电池组12。如图1和图4所示。
本实用新型由能够发出可控X射线的可控X射线激发源,以及X射线探测器,主放大器,高、中、低压供电电源,多道脉冲幅度分析器(MCA),微机及外围设备组成,其特征在于:由可控X射线激发源是利用小型低功能X射线管及高压电源组成;X射线探测器可根据需要由Si-PIN电致冷X射线探测器,或Si(Li)半导体探测器,或CZT探测器构成;主放大器由放大器、基线恢复器和有源积分器三个主要电路构成;MCA分析器由跟随器、采样保持器、ADC芯片和控制接口电路四部分构成。其工作单元框图的连接如附图2所示。
本实用新型主要结构由探头和主机两部分构成,探头有高压电源、X光管和X射线探测器;主机有笔记本电脑、MCA、放大器、电源和电池组;探头与主机之间有电缆连接。
本实用新型的优点在于:
1、采用可控X射线激发源,符合环保要求;
2、全谱测量,自动检测,分析器道数不小于1000道;
3、采用Si-PIN电致冷X射线探测器,或Si(Li)半导体探测器,或CZT探测时能量分辨率优于200eV;
4、整机功耗小于25W
5、整机重量小于15Kg
6、探头可以多样化替换使用;
7、分析元素范围可从S(Z=16)至U(Z=92)
8、对于常规岩石土壤样品,测量时间5~10分钟,一些元素的分析检出限可达几~十几ppm;
9、用笔记本电脑和相应的软件,能够在野外现场或原位快速给出结果;
10、整机经过实际运输的震动试验后完全可以正常使用。
以下结合附图说明和实施例对本实用新型作进一步介绍。
图1是本实用新型探头和主机结构示意图。
图2是本实用新型工作单元连接示意图。
图3是本实用新型多道脉冲幅度分析器(MCA)的组成和连接框图。
图4是实用新型整机部件连接示意图。
图5是本实用新型X射线激发源可控电流实施例电路图。
图6是本实用新型X射线探测器高压实施例电路图。
图7是本实用新型主放大器实施例电路图。
图8是本实用新型多道脉冲幅度分析器(MCA)实施例电路图。
其中:1、探测头;2、盖板和萤光板;3、30KV高压电源;4、可控X光管;5、X射线探测器;6、电线连接插头、座;7、高压操作台面板;8、笔记本电脑;9、道脉冲幅度分析器(MCA);10、主放大器;11、高、中、低压供电电源;12电池组。
实施例
如图4所示,荧光仪由探头(见图4-1)及操作台(图4-2)组成。探头由Si-PIN电制冷导体探测器(图4-5)、小型低功率X光管(图4-4)及供X光管工作的高压电源(图4-3)连接构成。操作台由主放大器(图4-10)、多道脉冲幅度分析器(图4-9)、袖珍笔记本微机(图4-8)、高、中、低压电源(图4-11)、供电电池组(图4-12)连接组成。图4-6为探头与操作台的连接电缆插头座;图4-2为操作台盖板;图4-7为操作台面板。
仪器制造过程中,先完成各单元电路和制造、调试。通过调试,各单元部件应分别达到以下相应的技术指标。其中:
Si-PIN电制冷半导体探测器。主要技术指标为能量分辨率,应达到180-200eV。
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