[实用新型]多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器

权利要求书

1.一种多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器，由微带交指型耦合器，移相电路及低相移幅度调整电路组成，其特征在于该多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器由180度开关型数字移相电路(1)和180度反射型模拟移相电路(2)及低相移幅度调整电路(3)依次相串联所组成，180度开关型数字移相电路输入端P1为信号输入端，低相移幅度调整电路(3)输出端P2为信号输出端，180度开关型数字移相电路(1)上接有互补控制端K1、K2，180度反射型模拟移相电路(2)上接有控制端K3，低相移幅度调整电路(3)上接有控制端K4、K5，控制信号参考电压端Vr分别与上述的三个电路相接。

2.根据权利要求1或2所述的多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器，其特征在于其中构成180度开关型数字移相电路输入端的共面波导G1的一端为信号输入端，另一端接微带线X1和电阻R30，电阻R30另一端接参考电压端Vr，微带线另一端接场效应晶体管T1和T4的源极，T1的栅极通过R1与控制端K1相接，T1的源极接微带线X2，X2的另一端接微带线X3和X4，微带线X3的另一端接电容C1，C1另一端接地，微带线X4另一端接场效应晶体管T2漏极，T2的栅极通过R2与控制端K1相接，T2的源极接微带线X5和场效应晶体管T3的源极，T3的栅极通过R3与控制端K2相接，T3的漏极接微带交指耦合器L1的一端，微带交指耦合器L1的其中有一端接场效应晶体管T4漏极，L1的另外两端分别接电容C2和C3，C2和C3的另一端分别接地，T4的栅极通过R4与控制端K2相接，X5的另一端接共面波导G2和电阻R21，R21另一端接参考电压端Vr。

3.根据权利要求1或2所述的多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器，其特征在于其中构成180度反射型模拟移相电路由对称于微带交指耦合器L2的上下两部分兼容多种极性控制信号单元电路构成，该单元电路中，T5源极接微带线X8和电阻R27，X8另一端接L2的其中一端，B27另一端接电容C4，C4另一端接地，T5的漏极接电容C5和电阻R28，C5另一端接地，R28另一端接Vr，T5的栅极通过R5与控制端K3相接。

4.根据权利要求1或2所述的多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器，其特征在于其中构成低相移幅度调整电路由两个完全相同的低相移匹配型开关衰减电路单元相串接构成，其中一个单元的共面波导G5一端接180度反射型模拟移相电路输出端，另一端接微带线X10，X10另一端接电阻R24和砷化镓场效应晶体管T8的源极，B24的另一端与T8的漏极和微带线X11相接，T8的栅极通过电阻R8与控制端K5相接，X11另一端接微带线X12和砷化镓场效应晶体管T9的源极，T9的漏极接电容C8，C8另一端接地，T9的栅极通过电阻R9与控制端K4相接，X12另一端接微带线X13和砷化镓场效应晶体管T10的源极，T10的漏极接电容C9，C9另一端接地，T10的栅极通过电阻R10与控制端K4相接，X13另一端接微带线X14和砷化镓场效应晶体管T11的源极及电阻R23，R23另一端接Vr，T11的漏极接电容C10，C10另一端接地，T11的栅极通过电阻R11与控制端K4相接，X14另一端接微带线X15和砷化镓场效应晶体管T12的源极，T12的漏极接电容C11，C11另一端接地，T12的栅极通过电阻R12与控制端K4相接，X15另一端接砷化镓场效应晶体管T7的源极和电阻R22，R22的另一端接T7的漏极和微带线X16，T7的栅极通过电阻R7与控制端K5相接，X16另一端接共面波导G6，G6另一端接另一个完全相同的低相移匹配型开关衰减电路单元的输入端。