[实用新型]采用变压器耦合的厚膜外线接口模块

说明书

本实用新型涉及通讯技术，具体是一种采用变压器耦合的厚膜外线(中继)接口模块。

通讯设备的不断小型化，是当今通讯业发展的趋势之一。而外线(中继)接口在某些通讯设备中无论是成本还是体积都占有相当比重。因而，从90年代开始，它逐步由分离器件方式演变为厚膜模块。目前，存在两种方案：一种如图1所示的变压器耦合方式，其在传统电路基础上，将变压器以外的其它电路厚膜模块化，而将变压器外接。另一种则是将传统电路中变压器耦合方式改为阻容耦合方式后厚膜模块化。前者因为传统变压器体积大，重量重，不能用于厚膜工艺，使“小型化”程度大打折扣。而阻容耦合方式方案虽然体积有所减小，但同时降低了电路的两个重要指标：抗干扰和防雷击。而对于外线(中继)接口，以这两指标为代价来缩小体积是得不偿失的。

本实用新型的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种采用变压器耦合的厚膜外线接口模块，以提高模块的抗干扰和防雷击性能，满足通讯设备小型化的发展要求。

本采用变压器耦合的厚膜外线接口模块，包括：陶瓷基片、铃流与极性检测单元，以及含变压器T’、编解码器和阻容网络的2←→4变换通道；

其特征在于：所述2←→4变换通道的变压器T’是ER9.5SMD变压器，还设置有，串联在变压器T’的初级与外线T之间的电子开关K1，并接于变压器T’次级的阻容网络Z2、Z3和Z4串联支路，编解码器输入端的电阻R7、R8，阻容网络Z2、Z3公共点与编解码器输出端的放大器，阻容网络Z3、Z4公共点与电阻R8之间跨接的倒相器。

以下结合附图对本实用新型进一步说明。

图1为传统的外线接口原理图；

图2为本实用新型的原理图；

图3为其模块的主视图；

图4为图3后视图；

图5为图3侧视图。

图1所示为典型的传统变压器耦合外线接口电路图。变压器耦合外线接口由变压器、编解码器、变压器初级并接的阻容网络、以及变压器与编解码器之间的阻容网络组成。为了减小体积，常常将较大的变压器外接，而将其它的元件厚膜化。

本实用新型厚膜外线接口模块如电路图2所示。它包括：陶瓷基片，跨接在外线T、R端的铃流与极性检测单元，以及2←→4变换通道。

所述2←→4变换通道包括变压器T’，编解码器，接于变压器T’次级的阻容网络、放大器及倒相器，串联在变压器T’的初级与外线T之间的电子开关K1，阻容网络Z2、Z3和Z4串联支路并接于变压器T’次级，电阻R7、R8、倒相器，阻容网络Z2、Z3的公共点与编解码器的输出端之间接放大器，阻容网络Z3、Z4公共点与电阻R8之间跨接的倒相器，电阻R7、R8的公共端接编解码器的输入端，电阻R7另一端接变压器次级，变压器T’初级另一端通过电容C3接外线R，变压器T’初级还接有等效负载Z1。

为缩小模块的体积，本实用新型采用ER9.5 SMD变压器。

2←→4变换与回波抑制原理为：

在信号RC控制下，电子开关K1合，K2合，录音通道被关闭，Z1跨接于T、R线完成模拟摘机。T、R线上的信号经T(耦合)再通过R7进入编解码器编码，由编解码器DX输出PCM信号(即2→4变换)；来自DR的PCM信号经编解码器编码再通过Z3、变压器T’(耦合)到T、R线(即4→2变换)。

在4→2变换过程中，来自DR的信号经解码后的流向如图中箭头所示。由于Z2、Z3、Z4、R7、R8、变压器T’的相关设计，使得i3＋i4＝0。从而使编解码器DX端无信号输出，即抑制了回波。

本实用新型还设置了一个录音电路，该录音电路由差分放大器、电子开关K2、两端接在外线R与地之间的电容C1、电阻R1、R4串联支路，两端接于外线T与地之间的电容C2、电阻R2、R3串联支路，差分放大器输入分别接电阻R1、R4公共端及电阻R2、R3的公共端，差分放大器输出通过电阻R5、R6接编解码器，电子开关K2接于电阻R5、R6公共端与地之间。电子开关K1选用光电耦合器，K2可选用三极管等。

录音通道工作过程如下：

在信号RC控制下，电子开关K1开、K2开，外线T、R线上的信号经C1、R1、R4和C2、R2、R3平衡输入到差分放大器，再通过R5、R6进入编解码器，由编解码器DX输出PCM信号，供录音使用。

其中，C1、R1、R4与C2、R2、R3是一组对称网络，且R1＞＞R4，R2＞＞R3因而该通道有极高的共模拟制比。