[实用新型]发光二极体的支架改良结构

说明书

本实用新型涉及发光二极体结构，具体说是涉及一种以铜、铁等金属材质一体成型，并在其顶部形成有一碗杯结构的发光二极体的支架改良结构。

按，如图1所示，其系为一习用发光二极体的支架结构剖视图，其中支架A在其顶端形成有一碗杯A1，碗杯A1的底面为一平直的承置面A2用以供置放发光晶片B，而其发光晶片B所产生的光束则经由承置面A2边围所形成的斜壁面A3向上射出，然而如图中所示的习用支架A的结构所示，其发光晶片B所产生的光束系经由支架A碗杯A1的斜壁面A3反射向上射出，而其斜壁面A3的斜角系一直延伸至碗杯A1的开口处，如此的反射效果将无法使发光晶片B所产生的光束集中，而产生散光的现象直接影响发光二极体的发光品质。

再者，若如图1中所示的习用发光二极体的支架结构系应用于白光发光二极体的结构时，其在发光晶片B的上方需以黄色的萤光胶C加以覆盖烤合，以使发光晶片B所产生的蓝光穿过萤光胶C时，其蓝光的光波得以与萤光胶C的黄色光波相重叠而产生白色光的效果，而由于其斜壁面A3只具有将光束向上反射扩散射出的作用，聚光的效果偏差，故其所扩散射出的白光无法完全将萤光胶C的黄色反射光掩盖，将使白光发光二极体产生参杂黄色光的情形，而直接影响白色光的发光品质；另外，其斜壁面A3就其结构特性而言，由于其系直接延伸至碗杯A1的开口处，故其所形成的范围系愈向上愈趋于宽广，在无法严格监控加工制程的情形下，其极容易使萤光胶C过度扩散，如此其所超出发光晶片B光束直射范围的萤光胶C将形成所谓的阴圈，而更直接影响白色光的发光品质。

本实用新型的目的在于提供一种发光二极体的支架改良结构，即藉由在斜壁面高出晶片承置的高度以上，以垂直的陡直形态向碗杯顶端收口形成集光区段，经由该集光区段的垂直反射壁面，将发光二极体所产生的光束反射集中以达到较佳的聚光效果。

本实用新型的另一目的在于当其运用于白光发光二极体的结构时，将经萤光胶射出的白光光束集中聚光，以掩盖未有光束穿过的黄色萤光胶的反射光，增加白光发光二极体的发光品质。

本实用新型的又一目的在于形成集光区段以防止萤光胶的扩散，避免黄光阴圈的产生。

本实用新型的再一目的在于支架一体成型后，在其表面作镀银处理，以防止氧化并增加光束的反射效果。

本实用新型是这样实现的，一种发光二极体的支架改良结构，其支架系以铜、铁等金属材质一体成型，在其顶部形成有一碗杯的结构，其碗杯的碗底在平直的承置面以供承置发光晶片，而在承置面的边围则形成有斜向上延伸的斜壁面，将发光晶片的光束反射向上射出；其特征在于：该斜壁面在高出发光晶片承置后的高度以上，以垂直的陡直形态向碗杯顶端收口而形成一集光区段。

本实用新型的另一特征在于该支架结构在一体成型后，于其表面进行镀银处理，该集光区段的壁面以朝碗杯顶端呈1°--2°的斜角外张。

本实用新型的优点是可将发光二极体所产生的光束反射集中以达到较佳的聚光效果，同时可提高白光发光二极体的发光品质，可有效避免黄光阴圈的产生，并防止支架表面被氧化。

图1系为习用发光二极体的支架结构剖视图。

图2系为本实用新型一较佳实施例的结构外观图。

图3系为本实用新型的结构剖视图。

图4系为本实用新型的光束反射示意图。A支架1支架A1碗杯                  11碗杯A2承置面               111承置面A3斜壁面                2斜壁面B发光晶片113集光区段C萤光胶

本实用新型发光二极体的支架改良结构，其支架的基本结构如图2及图3所示，其中支架1系以铜、铁等金属材质一体成型，在其顶部形成有一碗杯11的结构，其碗杯11的碗底在平直的承置面111以供承置发光晶片B，而在承置面111的边围则形成有斜向上延伸的斜壁面112，以利将发光晶片B的光束反射向上射出；其特征在于：该斜壁面112在高出发光晶片B承置后的高度以上，以垂直的陡直形态向碗杯11顶端收口而形成一集光区段113；而为利于整体支架结构于制作过程中的脱模动作，其集光区段的壁面可以朝碗杯顶端呈1°--2°的斜角外张而成为一易于使整体支架脱模的拔模斜度。