[实用新型]一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统

说明书

本实用新型涉及一种物体的加热干燥系统，尤其是指一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统。

远红外线的波长大约为3.0μm-1000μm，其通过辐射的方式将热量直接传递至被加热的物体上，不须中间介质作为传热媒介，因此远红外线加热是能量传递效率最高的加热方式。远红外线是长波长的辐射热，放射温度低于600℃，属于低温型辐射体发出的能量，能量比较不集中，用于表面加热。相对的红外线辐射体是短波长(0.7μm-2.0μm，放射温度约1200℃)，辐射能量大且较集中，被广泛应用于涂装干燥领域。但对于高分子物质(涂料、纤维、肉类、食品等)而言，其在远红外线波段具有强吸收带，因此，远红外线在高分子领域的加热、干燥应用方面深受重视。最近日本相继开发了在各种工业产品的干燥、食品工业、暖房利用等领域的远红外线的应用，并逐渐被广泛使用。

远红外线辐射加热的基本原理为：入射(辐射量)＝受热物(吸收能量十反射能量十透射能量)，当受热物的吸收能量达到最大时即产生最佳的加热效果。影响吸收能量的因素有入射(辐射量)和吸收系数，单位面积入射(辐射量)＝EδT，其中E为放射率，δ为常数，T为绝对温度。当E＝1时为百分之百的发射率，此为黑体辐射的效果，一般辐射器的发射率在1以下。

所谓的高发射效率远红外线辐射体是近似的理想黑体(blockbody)，即其总放射率(emissivity)接近1。目前，日本比较知名的陶瓷工业厂家所开发远红外线陶瓷的放射率约为0.92-0.93。目前电容晶片沾银(铜)后的干燥作业采用的是传热风炉干燥方式，其缺点是耗费人力，且干燥时间约30分钟以上，这种传热风炉干燥作业方式无法衔接在自动沾银(铜)机的后段，做即时干燥的自动作业。

本实用新型基于两个理由采用远红外线陶瓷器热辐射的加热方式来设计一套连能够续干燥作业的加热炉，其可衔接在自动沾银(铜)机后段，连接成一套自动化的生产设备。这两个理由是：(1)远红外线易于被加热体吸收的加热特点，目前精密陶瓷工业致力开发高发射效率的陶瓷加热器以取代传统的石英管加热器，(2)为了能在自动沾银(铜)作业后马上进行干燥作业，以提高生产量和降低人工作业。

本实用新型的目的是提供一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统，来取代传统的费人力且效率低的加热干燥系统。

为达到上述目的，本实用新型采用下述技术方案：该系统包括一输送带，一载料片和一加热器，所述输送带为自动运输的装置；所述载料片接合在上述输送带上，该载料片中有复数个圆洞，该圆洞中有沾银(铜)晶片；所述加热器处于该沾银(铜)晶片的上方。

所述输送带为一输送钢带。

所述加热器为远红外线陶瓷加热器。

所述远红外线陶瓷加热器的发射率在0.92-0.94之间。

所述加热器为远红外线陶瓷管状加热器。

所述远红外线陶瓷管状加热器的发射率在0.92-0.94之间。

所述加热器为远红外线陶瓷平面状加热器。

所述远红外线陶瓷平面状加热器的发射率在0.92-0.94之间。

还包括一用来防止所述加热器放出的热量传到该干燥系统外的炉壁，该炉壁为一绝热装置。

采用上述技术方案后，由于采用了高发射效率的远红外线陶瓷加热器，因此节省了晶片沾银(铜)材质的干燥时间，另外，自动化的输送带能提高生产效率和降低人工作业的人力。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1是本实用新型的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统的示意图；

图2是本实用新型的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统的远红外线陶瓷管状加热器的示意图；

图3是本实用新型的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统的另一实施例的示意图；

图4是本实用新型的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统的远红外线陶瓷平面状加热器的示意图；

图5是本实用新型的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统的炉体结构中加热系统部件的相关配置位置的示意图。