[实用新型]纳米光－热伏电池

权利要求书

1.一种纳米光-热伏电池，包括半导体衬底、扩散层、高渗杂扩散层，以及分别从衬底和高渗杂扩散层引出的电极，其特征在于：还含有离子注入层，所述离子注入层夹在衬底与高渗杂扩散层之间，形成两个PN结，所述离子注入层为高渗杂扩散层覆盖，厚度在1nm-100nm之间。

2.根据权利要求1所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述衬底为n^-型，所述扩散层为p⁺型，所述离子注入层为p⁺型，所述高渗杂扩散层为n⁺⁺型。

3.根据权利要求1所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述衬底为p^-型，所述扩散层为n⁺型，所述离子注入层为n⁺型，所述高渗杂扩散层4为p⁺⁺型。

4.根据权利要求2或3所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述离子注入层夹在衬底与高渗杂扩散层之间，构成类似“三明治”的纳米夹层结构，所述纳米夹层结构呈栏杆状排列，其相互之间为扩散层形成的矩形区域，其上表面盖有氧化层。

5.根据权利要求4所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述各纳米夹层结构形成的栏杆为金属铝箔围带所连接。

6.根据权利要求5所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述电极分别从半导体衬底和铝箔围带上引出。

7.根据权利要求4所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述衬底的一侧上直接制有用作引出电极的高渗杂扩散层。

8.根据权利要求1所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述高渗杂扩散层与离子注入层之间、以及离子注入层与衬底之间设置本征层。

9.根据权利要求1所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述电极之间外加偏置电压。

10.根据权利要求1所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述衬底周边设置p⁺或n⁺隔离槽。