[实用新型]硅锗/硅异质结内发射红外探测器

权利要求书

1、一种SiGe/Si异质结内光电发射红外探测器，由硅衬底片、及硅衬底片上制作的SiO₂层、硼扩散区、淡磷扩散区、浓磷扩散区、红外探测窗口和电极组成，其特征在于红外探测窗口采用分子束外延生长的Si_1-xGe_x/Si异质结材料；合金Si_1-xGe_x中，0.45≤x≤0.55，厚度为100-120埃，p型掺杂源为B₂O₃，p型掺杂浓度为10²⁰/cm³数量级。

2、根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于硅衬底片上热氧化生成的SiO₂层厚度为7000-10000埃；在SiO₂层上光刻有一方形环状硼扩散窗口p⁺区，p⁺区环的宽度为6±2μm，硼扩散区的方块电阻为10-20Ω/□，结深2±0.1μm；在p⁺区内周界所包围的区域光刻有方形环状淡磷扩散区n，该n区环的宽度为6±2μm，淡磷扩散区方块电阻为450-550Ω/□，结深1±0.1μm；在n区上侧处光刻有浓磷扩散区n+，浓磷扩散区的方块电阻为4-6Ω/□，结深1±0.1μm；在图形的中央处光刻有一方形光敏区G，在G内由分子束外延生长有Si_1-xGe_x合金；在p+区与n+区光刻有引线孔C与C’；在C与C’处制作有铝电极T，厚度2.2±0.3μm；在上面还淀积有钝化用的介质层。