[实用新型]制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器

权利要求书

1、一种制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器，包括滤质管(2)、设置于滤质管(2)外部且与磁场电源(1)相接的螺线管(3)、设置于滤质管(2)出口处的出口光阑(5)，所述滤质管(2)内设置有捕集器(4)，所述螺线管(3)由导线绕制而成，其特征在于：所述的滤质管(2)为波纹管结构；所述的滤质管(2)为弯管，其曲率半径为90～120°，所述绕制螺线管(3)的安匝数是可产生10～40mT可调磁场的安匝数。

2、如权利要求1所述的制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器，其特征在于：所述的滤质器(2)为单弯管或三维双弯管。

3、如权利要求2所述的制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器，其特征在于：所述滤质器(2)的曲率半径为120°。

4、如权利要求1所述的制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器，其特征在于：所述的捕集器(4)由波纹管内的连接槽构成，或由与滤质管(2)内径相应的不锈钢环焊接而成。

5、如权利要求1或2或4所述的制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器，其特征在于：所述绕制螺线管(3)的导线为实心导线或空心导线，所述的空心导线内装有冷却液。

6、如权利要求5所述的制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器，其特征在于：所述的出口光阑(5)设置于滤质管(2)的像点处。

7、如权利要求6所述的制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器，其特征在于：所述的出口光阑(5)外部设置有预偏电场(7)。

8、如权利要求7所述的制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器，其特征在于：所述的磁场电源(1)为一个、两个或多个。

9、如权利要求8所述的制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器，其特征在于：所述滤质管(2)的出口处设置有X、Y扫描器(6)。