[实用新型]半导体放电管半导体芯片

权利要求书

1、半导体放电管半导体芯片，包括第一导电型长基区中间层，第一导电型长基区中间层掺杂为高斯分布，其特征在于：第一导电型长基区中间层两外侧面上各有三层金属化层，金属化层边缘有钝化层，第一导电型长基区中间层两侧各有第二导电型短基区，第二导电型短基区掺杂为高斯分布，第二导电型短基区内有一掺杂为余误差分布的第二导电型层，第二导电型短基区内有第一导电型发射区，第一导电型发射区掺杂为高斯分布，第一导电型发射区内有一掺杂为余误差分布的第一导电型层，第一导电型发射区内有若干短路点连接第二导电型短基区与第一导电型长基区中间层外侧面的金属化层，第二导电型短基区外侧有环槽，

2、按权利要求1所述的半导体放电管半导体芯片，其特征在于：第一导电型长基区中间层两侧的第二导电型短基区为180度对称，按权利要求1所述的半导体放电管半导体芯片，其特征在于：第二导电型短基区外侧环槽可以为二个，

4、按权利要求1所述的半导体放电管半导体芯片，其特征在于：第一导电型长基区衬底两外侧的三层金属化层的外层为金属银，最内层为金属钛，

5、按权利要求1所述的半导体放电管半导体芯片，其特征在于：短路点为第二导电型掺杂点，

6、按权利要求1所述的半导体放电管半导体芯片，其特征在于：第一导电型长基区中间层与第二导电型短基区间有一掺杂为余误差分布的第一导电型层，

7、按权利要求1所述的半导体放电管半导体芯片，其特征在于：第一导电型为N型，第二导电型为P型，

8、按权利要求1所述的半导体放电管半导体芯片，其特征在于：第一导电型为P型，第二导电型为N型，

9、按权利要求1所述的半导体放电管半导体芯片，其特征在于：第二导电型短基区的截面为等腰梯形，第一导电型长基区中间层邻接等腰梯形的长底边。