[发明专利]石英振荡装置有效
申请号: | 01800407.5 | 申请日: | 2001-03-02 |
公开(公告)号: | CN1364338A | 公开(公告)日: | 2002-08-14 |
发明(设计)人: | 饭塚实;石原宏征;小笠原好清;森显弘;平尾进;村上达也 | 申请(专利权)人: | 株式会社大真空 |
主分类号: | H03H9/13 | 分类号: | H03H9/13 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张祖昌 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 石英 振荡 装置 | ||
技术领域
本发明涉及石英振荡装置,其中石英振荡板借助硅酮基导电粘合剂固定安装。
背景技术
关于石英振荡装置如石英振荡器和石英振荡发生器,采用陶瓷封装的表面安装的振荡器已开始占据主要份额。另外,为了适应微型化的形式,越来越多的表面安装的振荡器用于支承石英振荡板而不采用弹性金属支承件。在省去弹性支承件的情形中,为了保证耐冲击性,石英振荡板往往采用硅酮基导电粘合剂固定在陶瓷封装中。例如,硅酮基导电粘合剂是通过在硅酮树脂粘合剂中添加导电填料而制成的。硅酮基导电粘合剂在固化后保持其挠性,在缓触作用在石英振荡板的外部应力方面性能优越。
作为一种传统的实例,现对照图13描述一种表面安装振荡器。这种表面安装的石英振荡器包括:一个陶瓷封装7,其外部形状基本呈矩形体,并且在顶部有有凹口;一个矩形石英振荡板8,它作为压电式振荡元件装在陶瓷封装7中;以及一个金属盖,它粘合在陶瓷封装7的凹口中。
陶瓷封装7由带有一凹口的陶瓷本体70和一个沿陶瓷本体70的周壁701的顶面设置的金属层71构成。金属层71由钨等金属层构成,在金属层上相继叠置着Ni镀层和超薄Au镀层。在陶塑封装7的内底面上在短侧方向上设有两个电极极板72(图中只画出一个)。电极极板72通过连接电极73,分别借助电极线74,75将电导至封装的外底面。
矩形石英振荡板8在一个纵向端部借助这两个电极极板72悬伸。石英振荡板形成有一对在前、后表面上的激励电极81,82。这些激励电极81,82被引至电极极板72部分,并通过导电粘合剂300与其电连接。每个激励电极81,82由Cr膜层和Au膜层构成,这两个层依上述次序通过溅射或真空蒸发而叠置起来。另外,金属盖9用银钎焊材料400钎焊和焊接起来,从而形成密封。
但是,硅酮基导电粘合剂对Au表面表现出弱的粘合强度,这可能增加导电阻力,也会引起粘接表面的开裂。考虑到在表面上的Au不能进行氧化反应而保持稳定,由于Au难于化学结合于硅酮基导电粘合剂,因而粘合强度的下降是可以推测的。
具体来说,在石英振荡板悬伸的情形中,支承重量或冲击重量集中在粘合区域上,从而引起开裂。
在近来为型面高度不大的装置而设计的布置中,粘合剂只涂布在石英振荡板的粘合表面上,而并不涂布在其顶面上。这种布置也导致了粘合强度的变劣。
为了补偿下降的粘合强度,现有技术(例如日本专利公开文本第H3-190410号和第H7-283683号)中已提出通过在石英振荡板的底部上涂布粘合剂,或通过露出(作为底座的)陶瓷封装的陶瓷底部,并在露出的底部上涂布粘合剂的方式来提高粘合强度。
近来,石英振荡装置的微型化不仅需要较小的石英振荡板,而且使引导电极只能有更小的面积。与此相关,如果在上述现有技术中减小了引导电极的尺寸,那么,相对于驱动水平的改变来说,CI(晶体阻抗)会显著改变。
本发明是为了解决上述问题而做出的,本发明的目的是提供一种石英振荡装置,其中石英振荡板借助硅酮基导电粘合剂粘接于基底上的电极极板,该装置可以保持良好的粘合状态和粘合强度,这可以显示出显著的耐冲击性,并且在以后的步骤中有利于频率调节。
发明内容
为了解决上述问题,本发明公开一种结构,在这种结构中,一种适当的易于氧化的金属很薄地至少设置在限定在石英振荡板上形成的每个引导电极的表面的金属膜上或设置在限定在基底上形成的每个电极极板的表面的金属膜上,从而使石英振荡板和电极极板可以被硅酮基导电粘合剂粘合。这种结构是通过下述布置实现的。
相应于权利要求1的石英振荡装置包括一个石英振荡板,石英振荡板具有两个主表面,每个主表面形成有一个激励电极和从激励电极引出的引导电极;以及在一个基底上形成的电极极板,其中,石英振荡板和电极极板通过硅酮基导电粘合剂电连接。这种石英振荡装置的特征在于:在激励电极和引导电极中,至少每个引导电极包括一个Cr膜层、一个Au膜层,以及一个Cr薄膜层或一个Ag薄膜层,它们以上述的次序叠置在石英振荡板上。
在权利要求1的布置中,Cr薄膜层或Ag薄膜层形成每个引导电极的最上层。因此,当采用硅酮基导电粘合剂时,不仅相对较容易氧化的Cr或Ag可以改善粘合强度,而且Au膜也可保证良好的导电性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社大真空,未经株式会社大真空许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01800407.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:BHV-l基因缺失的病毒疫苗
- 下一篇:对视频信号进行编码的方法