[发明专利]制造超晶格材料的快速递变退火方法

权利要求书

1、一种制造层状超晶格材料之薄膜的方法，包括以下步骤：提供(312)衬底；提供(322)包含有效量内金属组成部分的母体，用于在加热所述母体时形成层状超晶格材料；将所述母体涂覆(324)在所述衬底上以形成涂层；所述方法的特征在于：在500℃至750℃的范围内的维持温度下，对所述涂层进行快速递变退火(“RRA”)(328)，进行时间为在所述维持温度下的5分钟至120分钟范围内之维持时间，在所述衬底上形成所述层状超晶格材料之薄膜(124，226，510)。

2、一种制造层状超晶格材料之薄膜的方法，包括以下步骤：：提供(312)衬底；提供(322)包含有效量内金属组成部分的母体，用于在加热所述母体时形成所述层状超晶格材料之所述薄膜；将所述母体涂覆(324)在所述衬底上以形成涂层；所述方法的特征在于：在所述的涂覆所述母体之后，基本上只通过进行快速递变退火(“RRA”)(328)加热所述涂层达到500℃至750℃之范围内的温度。

3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，用5分钟至120分钟之范围内的维持时间进行所述的快速递变退火。

4、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的快速递变退火是在含氧气氛中进行的。

5、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的快速递变退火基本上是在纯氧气(O₂)中进行的。

6、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的温度不超过700℃。

7、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的温度为650℃。

8、根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述的维持时间不少于15分钟。

9、根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述的维持时间不少于30分钟。

10、根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述的温度为650℃，所述的维持时间不少于30分钟。

11、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，进行所述的快速递变退火所采用的实际递变率是在每秒10℃至100℃之范围内。

12、根据权利要求11所述的方法，其特征在于，进行所述的快速递变退火所采用的实际递变率为每秒50℃。

13、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在进行所述快速递变退火之前，以不超过400℃的温度烘烤(326)在所述衬底上的所述涂层。

14、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，进行所述烘烤的时间不超过15分钟。

15、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述快速递变退火之后，对所述涂层进行炉内退火(330，334)。

16、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述的炉内退火是在含氧气氛中进行的。

17、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述的炉内退火是在600℃至700℃的范围内之温度下进行的。

18、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，进行所述炉内退火的时间是在5分钟至120分钟之范围内。

19、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述衬底包括第一电极(122，508)，该方法还包括以下步骤：在所述快速递变退火后，在所述薄膜上形成第二电极(126，512)，以形成电容器(128，500)，随后进行一个后退火(334)之步骤。

20、根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述的后退火是在600℃至700℃范围内之温度下进行5分钟至60分钟范围内之时间。

21、根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述的后退火是在含氧气氛中进行的。

22、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述涂覆所述母体之前，在所述衬底上形成导电的隔离层(121)。

23、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述层状超晶格材料包括钽酸锶铋。