[发明专利]PFC处理方法及其处理装置

权利要求书

1.一种PFC的处理方法，该方法是一种在半导体装置等制造工序中使用的PFC的处理方法，其特征在于，将在减压下使用的所述PFC通过真空泵转移至大气压下，之后在该PFC中添加反应材料，对所述PFC和所述反应材料构成的混合气体进行等离子体处理，利用所述PFC和所述反应材料生成聚合物。

2.如权利要求1所述的PFC的处理方法，其特征在于，所述反应材料为链烷烃的气体或醇。

3.一种PFC的处理方法，该方法是一种在半导体装置等制造工序中使用的PFC的处理方法，其特征在于，将在减压下使用的所述PFC通过真空泵转移至大气压下，之后在该PFC中添加水及/或氧气，同时进行等离子体处理，分解所述PFC。

4.一种PFC的处理装置，该装置是一种用于设置在连接于在半导体装置等制造中使用PFC的真空室的真空泵的后段的PFC处理装置，其特征在于，具有等离子体处理部和反应剂供给部，其中等离子体处理部对通过该真空泵转移至大气压下的所述PFC进行等离子体照射；反应剂供给部设在该等离子体处理部的前段，在所述PFC中加入反应材料，生成混合气体；在大气压下对所述混合气体进行等离子体处理，利用所述PFC和所述反应材料生成聚合物。

5.如权利要求4所述的PFC处理装置，其特征在于，所述反应材料是链烷烃气体或醇。

6.一种PFC的处理装置，是一种用于设置在连接于在半导体装置等制造中使用PFC的真空室的真空泵的后段的PFC处理装置，其特征在于，具有等离子体处理部和反应剂供给部，其中等离子体处理部对通过该真空泵转移至大气压下的所述PFC进行等离子体照射，反应剂供给部设在该等离子体处理部的前段，在所述PFC中加入水及/或氧气；在大气压下对含有所述水及/或氧气的所述PFC进行等离子体处理，分解所述PFC。

7.如权利要求4所述的PFC的处理装置，其特征在于，在所述等离子体处理部的后段设有气旋捕集器，利用所述气旋捕集器，可以回收所述所述聚合物。

8.如权利要求7所述的PFC的处理装置，其特征在于，在进行所述聚合物的堆积的所述气旋捕集器的底部设有一对开闭式的隔板，将所述底部设为二室结构，利用所述隔板的开闭动作，同时进行所述聚合物的堆积和回收。