[发明专利]晶片的周面倒角部分的抛光方法及其设备无效

专利信息
申请号: 01800519.5 申请日: 2001-02-21
公开(公告)号: CN1364107A 公开(公告)日: 2002-08-14
发明(设计)人: 水岛一寿;三浦仲寿;关根靖弘;铃木诚;冨井和弥 申请(专利权)人: 信越半导体株式会社
主分类号: B24B9/00 分类号: B24B9/00;H01L21/304
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 何秀明,李晓舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶片 倒角 部分 抛光 方法 及其 设备
【权利要求书】:

1.一种在提供抛光膏的同时用抛光布对晶片的周面倒角部分进行抛光的方法,其步骤包括:预制多个具有不同抛光率的抛光工序,以及对周面倒角部分依次进行抛光工序,使每个工序的抛光率逐次减小。

2.如权利要求1所述的晶片周面倒角部分的抛光方法,其中所述的多个抛光工序至少包括:以大去除量的抛光工作条件对周面倒角部分进行抛光的第一抛光工序,以及将周面倒角部分精密加工成高光洁度和无损伤表面的第二抛光工序。

3.如权利要求1所述的晶片周面倒角部分的抛光方法,其中所述的多个抛光工序包括:对晶片周面的特定部分进行抛光的第一抛光工序,以及对整个晶片周面进行精密抛光的第二抛光工序。

4.如权利要求3所述的晶片周面倒角部分的抛光方法,其中所述的晶片周面特定部分是与晶体平面(110)相对应的部分。

5.如权利要求1所述的晶片周面倒角部分的抛光方法,其中在多个工序中,抛光率的改变是通过抛光布硬度值的改变和/或抛光膏中的磨料颗粒尺寸的改变而加以改变的。

6.如权利要求5所述的晶片周面倒角部分的抛光方法,其中第二抛光工序中使用的抛光布的硬度比第一抛光工序中的硬度低。

7.如权利要求5所述的晶片周面倒角部分的抛光方法,其中第二抛光工序使用的抛光膏中的磨料颗粒尺寸比第一抛光工序中的颗粒尺寸小。

8.如权利要求1,5或6中所述的晶片周面倒角部分的抛光方法,其中在晶片旋转的同时,晶片的周面倒角部分被推向固定着具有不同硬度值的多个抛光布的旋转辊,并在向抛光布接触区提供抛光膏的同时用抛光布进行抛光。

9.一种用来对晶片的周面倒角部分进行抛光的设备,该设备具有一个其上面固定着抛光布的旋转辊;一个使晶片在其自身上旋转的同时,将晶片的周面倒角部分压向旋转辊的晶片旋转部;以及一个把抛光膏提供到抛光布与晶片周面倒角部分之间接触区的管嘴;其中该设备还包括:

固定着具有不同硬度值的多个抛光布的旋转辊;以及

一个相对直线运动的驱动装置,它使抛光布上的抛光区沿着平行于抛光布的固定平面的方向而相对移动,其中该相对直线运动驱动装置的移动距离,至少等于晶片在多个抛光布中的不同抛光布上的抛光区之间的移动距离。

10.如权利要求9所述的对晶片周面倒角部分进行抛光的设备,其中所述的多个固定抛光布的变化方向、以及相对运动驱动装置的移动方向是沿着旋转辊转动轴线的方向。

11.如权利要求9所述的对晶片周面倒角部分进行抛光的设备,其中固定在旋转辊上的抛光布的硬度值沿着旋转辊的轴线方向分多个步骤变化,以便通过相对直线运动驱动装置使晶片周面倒角部分与抛光布之间的每个抛光区其硬度值也相应地分多个步骤变化。

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