[发明专利]光源装置无效
申请号: | 01800857.7 | 申请日: | 2001-02-09 |
公开(公告)号: | CN1366714A | 公开(公告)日: | 2002-08-28 |
发明(设计)人: | 藤原翼;中野景生 | 申请(专利权)人: | 日本光源股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴增勇,傅康 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光源 装置 | ||
1.一种光源装置,它包括:
设置于基底材料的反射面的、其中混入波长转变材料的透明树脂,以及
设置于所述透明树脂上的透明半导体发光元件,其中:
从所述半导体发光元件的背面发出的光被所述波长转变材料进行波长转变;
经波长转变的光在所述反射面被反射;以及
所述反射光跟直接从所述半导体发光元件的正面发出的光相混合,所述混合后的光从所述半导体发光元件的表面辐射出去。
2.权利要求1的光源装置,其特征在于:
在所述透明树脂中还混入了导电材料。
3.权利要求1或2的光源装置,其特征在于:
所述透明树脂以大于所述半导体发光元件所占区域的面积形成于所述基底材料上;以及
所述半导体发光元件被粘接并固定在所述基底材料上的所述透明树脂上。
4.权利要求1的光源装置,其特征在于:
在所述基底材料上设置有凹陷部;
所述透明树脂被充填于所述凹陷部中;以及
所述半导体发光元件被粘接并固定在充填于所述凹陷部的所述透明树脂上。
5.权利要求4的光源装置,其特征在于:
所述凹陷部的开口面积小于所述半导体发光元件的所述背面的面积。
6.权利要求3的光源装置,其特征在于:
所述凹陷部的内壁面对着所述半导体发光元件的侧面;以及
所述内壁为从所述凹陷部的所述底面向所述凹陷部的所述开口扩展的斜面。
7.权利要求6的光源装置,其特征在于:
所述凹陷部的所述斜面与所述凹陷部的所述底面之间的夹角大于0°并小于或等于45°。
8.权利要求4的光源装置,其特征在于:
所述凹陷部的所述开口取所述半导体发光元件的发光区的形状、矩形或圆形。
9.权利要求4的光源装置,其特征在于:
用蚀刻、激光加工或放电加工方法来处理和形成所述凹陷部。
10.权利要求1的光源装置,其特征在于:
用透明粘合剂将所述半导体发光元件粘接并固定在所述透明树脂上。
11.权利要求10的光源装置,其特征在于:
所述半导体发光元件的所述背面上配备有透明电极;以及
所述透明电极设置在形成于透明基板上的有源层上。
12.权利要求1的光源装置,其特征在于:
所述基底材料由陶瓷基板、液晶聚合物树脂基板、玻璃纤维环氧树脂基板、引线框架和具反射性的壳体中的任一种形成。
13.权利要求1的光源装置,其特征在于:
所述半导体发光元件由InGaAlP、InGaAlN、InGaN和GaN中的任一种制成。
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