[发明专利]分部结构及其形成方法

权利要求书

1.一种分部结构，其中包括多个其分部维数不同的区域，该分部维数具有自相似性的特征。

2.如权利要求1所述的分部结构，其中，通过调整所述多个区域的体积与分部结构总体积之比，控制在分部结构中发生的相变的性质。

3.如权利要求1所述的分部结构，其中，通过调整所述多个区域的体积与分部结构总体积之比，控制交互电子系统的电子-电子相关。

4.如权利要求1所述的分部结构，其中，通过调整所述多个区域的体积与分部结构总体积之比，控制铁磁相变的磁化曲线。

5.如权利要求1所述的分部结构，其中，通过调整所述多个区域的体积与分部结构总体积之比，控制在分部结构中出现的浑沌的性质。

6.如权利要求1所述的分部结构，其中，通过调整所述多个区域的体积与分部结构总体积之比，控制电子状态中的量子浑沌。

7.如权利要求1所述的分部结构，其中，通过增加磁杂质而控制电子状态中的量子浑沌。

8.如权利要求6所述的分部结构，其中，通过增加磁杂质而控制电子状态中的量子浑沌。

9.如权利要求1所述的分部结构，其中包括：

具有第一分部维数且形成核芯的第一区域；以及

包围所述第一区域的一个或多个第二区域，该第二区域具有低于所述第一分部维数的第二分部维数。

10.如权利要求1所述的分部结构，其中，所述第一区域和第二区域整体表现为星形的形状。

11.如权利要求9所述的分部结构，其中，当所述第一分部维数为D_f1，所述第二分部维数为D_f2时，满足D_f1＞2.7和D_f2＜2.3。

12.如权利要求9所述的分部结构，其中，当所述第一分部维数为D_f1，所述第二分部维数为D_f2时，满足2.7＜D_f1≤3和1≤D_f2＜2.3。

13.如权利要求9所述的分部结构，其中当所述第一分部维数为D_f1，所述第二分部维数为D_f2时，满足2.9≤D_f1≤3和1≤D_f2＜2.3。

14.一种形成分部结构的方法，该分部结构包括多个分部维数不同的区域，所述分部维数具有自相似性的特征，该方法特征在于：

从一个或多个起点生长分部结构，并且在其生长过程中随时间改变生长条件，从而获得不同的分部维数。

15.如权利要求14所述的形成分部结构的方法，其中，使用以下生长条件：从生长起点开始直到第一点时间为止，以形成第一分部维数的条件生长；从第一点时间开始直到第二点时间为止，以形成低于第一分部维数的第二分部维数的条件生长。

16.如权利要求15所述形成分部结构的方法，其中，当所述第一分部维数为D_f1，所述第二分部维数为D_f2时，满足D_f1＞2.7和D_f2＜2.3。

17.如权利要求15所述形成分部结构的方法，其中，当所述第一分部维数为D_f1，所述第二分部维数为D_f2时，满足2.7＜D_f1≤3和1≤D_f2＜2.3。

18.如权利要求15所述形成分部结构的方法，其中，当所述第一分部维数为D_f1，所述第二分部维数为D_f2时，满足2.9≤D_f1≤3和1≤D_f2＜2.3。