[发明专利]双极晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种双极晶体管，它具备：第1半导体层、第2半导体层、第3半导体层、绝缘膜、开口部和发射极引出电极；

所述第1半导体层设在衬底上、含有第1导电型杂质、构成集电极层，

所述第2半导体层设在所述第1半导体层上、含有第2导电型杂质、构成基极层，

所述第3半导体层设在所述第2半导体层上、由与所述第2半导体层禁带宽度不同的材料组成，

所述绝缘膜设置在所述第3半导体层上，开口部设置在所述绝缘膜上并到达所述第3半导体层，

发射极引出电极由导体材料构成、填埋所述绝缘膜开口部并与所述第3半导体层接触；

所述第3半导体层具有位于所述开口部下方的第1导电型发射极扩散层和位于该发射极扩散层侧方区域、至少其上部含有第2导电型杂质的周边层。

2.根据权利要求1所述的双极晶体管、其特征在于：

所述绝缘膜由掺杂有第2导电型杂质的氧化硅膜构成，

所述第3半导体层上部中至少一部分上包含的第2导电型杂质是从所述绝缘膜扩散获得的。

3.根据权利要求1所述的双极晶体管、其特征在于：

该双极晶体管还具备多晶硅膜，它与位于所述第3半导体层中所述垫在其下部绝缘膜外方的部分相连接、而且、它设置的延伸到所述绝缘膜上、掺杂有第2导电型杂质、起到基极引出电极的功能。

至少在所述第3半导体层上部的一部分上含有的第2导电型杂质是从所述多晶硅膜通过所述绝缘膜扩散而得到的。

4.根据权利要求1～3中任一权利要求所述双极晶体管，其特征在于：

所述第3半导体层的发射极扩散层中的第1导电型杂质是从所述发射极引出电极扩散得到的。

5.根据权利要求1～4中任一权利要求所述双极晶体管，其特征在于：

所述衬底是硅衬底，

所述第1半导体层是Si层，

所述第2半导体层是SiGe层或者SiGeC层，

所述第3半导体层是Si层。

6.一种双极晶体管的制造方法，它包含以下工程：

(a)在第1半导体层上形成第2半导体层的工程，第1半导体层设在衬底上、含第1导电型杂质、构成集电极层，第2半导体层含第2导电型杂质、构成基极层；

(b)在所述第2半导体层上用外延生长法形成第3半导体层的工程，第3半导体层由与所述第2半导体层禁带宽度不同的材料构成、至少在它的上部含有第2导电型杂质；

(c)在所述工程(b)后、在衬底上堆积绝缘膜的工程；

(d)在所述绝缘膜上形成到达所述第3半导体层开口部的工程；

(e)在所述第3半导体层中位于所述开口部下方的区域内，导入第1导电型杂质、形成发射极扩散层的工程。

7.一种双极晶体管的制造方法，其特征在于：

它包含以下工程：

(a)在第1半导体层上形成第2半导体层的工程，第1半导体层设在衬底上、包含第1导电型杂质、构成集电极层，第2半导体层含第2导电型杂质、构成基极层；

(b)在所述第2半导体层上用外延生长法形成第3半导体层的工程，第3半导体层由与所述第2半导体层禁带宽度不同的材料组成；

(c)在所述工程(b)后、在衬底上堆积含第2导电型杂质绝缘膜的工程；

(d)在所述绝缘膜上形成到达所述第3半导体层开口部的工程；

(e)在所述第3半导体层中位于所述开口部下方的区域内、导入第1导电型杂质形成发射极扩散层的工程；

由所述工程(c)后的处理，从所述绝缘膜在所述第3半导体层的上部掺杂第2导电型杂质。