[发明专利]电子器件制造

权利要求书

1.一种包括薄膜晶体管的电子器件的制造方法，包括步骤：

(a)在绝缘膜上淀积栅层，所述绝缘层位于半导体膜上；

(b)限定在栅层上布图的掩模层；

(c)利用掩模层蚀刻以布图栅层；

(d)利用掩模层和/或栅层作为注入掩模，注入半导体膜；

(e)在掩模层下深蚀刻栅层；

(f)除去掩模层；和

(g)用能量束给半导体膜退火。

2.按权利要求1的方法，其特征在于，在步骤(d)之前进行步骤(e)。

3.按权利要求2的方法，其特征在于，步骤(c)和(e)可以作为一个步骤进行。

4.按前面任一个权利要求的方法，在步骤(f)之后进一步包含注入步骤，提供比步骤(d)更低水平的掺杂。

5.按权利要求1-3任一个权利要求的方法，其特征在于，步骤(b)包括步骤：

(h)限定源极/漏极图形掩模层；

(i)进行注入步骤，提供比步骤(d)更高水平的掺杂，以便形成由源极/漏极图形限定的源极和漏极区，仅暴露于步骤(d)注入的区形成LDD区；和

(j)布图掩模层以限定栅图形。

6.按权利要求1-3任一个权利要求的方法，在步骤(c)之后进一步包含步骤：

(k)在另一个掩模层中限定源极/漏极图形；和

(l)进行注入步骤，提供比步骤(d)更高水平的掺杂，以便形成由源极/漏极图形限定的源极和漏极区，仅暴露于步骤(d)注入的区形成LDD区。

7.按权利要求1-3任一个权利要求的方法，在步骤(a)之前进一步包含步骤：

(m)限定最初的布图的掩模层；

(n)利用最初的掩模层作为注入掩模进行注入步骤，在横向延伸并且向内超过在步骤(b)中形成的布图的掩模边缘的区中，此注入提供了比步骤(d)更低水平的掺杂；和

(o)用能量束给半导体膜退火。

8.按权利要求7的方法，其特征在于，在深蚀刻步骤(e)之后，栅层与在步骤(n)中形成的部分注入区重叠。

9.按前面任一个权利要求的方法，在步骤(e)之前包含使栅层阳极氧化的步骤(p)。

10.按权利要求9的方法，其特征在于，在步骤(p)之前进行步骤(d)。

11.按前面任一个权利要求的方法，其特征在于，在步骤(e)中栅被深蚀刻3μm或更小的距离。

12.按权利要求10的方法，其特征在于，在步骤(e)中栅被深蚀刻到在0.25-0.5μm范围内的一个距离。

13.按前面任一个权利要求的方法，其特征在于，栅层包括铝或钛和铝的双层。

14.按前面任一个权利要求的方法，其特征在于，在一个衬底上形成多个晶体管，作为矩阵中的开关元件。

15.按一种制造电子器件的方法，所述电子器件包括基本上如这里参考附图所描述的薄膜晶体管。