[发明专利]结构评价方法、半导体装置的制造方法及记录媒体

权利要求书

1.一种结构评价方法，其特征在于：

包括以下步骤：

利用光学的评价方法得到半导体器件的要素的物理量的多个实测值的步骤(a)、

假定用于形成所述要素的工艺条件并通过计算求出经过使用该假定工艺的工艺而形成的所述要素的结构的步骤(b)、

计算利用所述光学的评价方法得到在所述步骤(b)求出的所述要素的结构的物理量的多个测定值的预想值的步骤(c)、

根据所述要素的物理量的所述多个实测值和使多个测定值的预想值推定所述要素的结构的步骤(d)。

2.根据权利要求1所述的结构评价方法，其特征在于：

在所述步骤(d)中，计算评价所述多个物理量的实测值与所述多个测定值的预想值之差的数值，在该值小于阈值之前，经过所述步骤(b)、(c)推定所述要素的结构。

3.根据权利要求1或2所述的结构评价方法，其特征在于：

在所述步骤(b)中，使用工艺模拟器进行所述计算。

4.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的结构评价方法，其特征在于：

预先通过使用多个工艺条件的工艺形成要素，利用所述光学的评价方法预先求出该要素的结构，将所述多个工艺条件与根据该工艺条件而形成的要素的结构的相关关系实现数据库化；

在所述步骤(b)中，通过根据所述相关关系计算而求出所述要素的结构。

5.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的结构评价方法，其特征在于：

所述工艺是结晶膜的外延成长工艺。

6.根据权利要求5所述的结构评价方法，其特征在于：

所述结晶膜是包含多个元素的结晶膜。

7.根据权利要求6所述的结构评价方法，其特征在于：

所述结晶膜是包含Si和Ge从而包含禁带倾斜地变化的结构的结晶膜。

8.根据权利要求1～7中任一权利要求所述的结构评价方法，其特征在于：

所述光学的评价方法是分光偏振光分析测定法和分光反射率测定法中的某一种方法。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：

包括以下步骤：

对包含半导体器件的要素的多个晶片中的1个评价用晶片利用光学的评价方法得到所述要素的物理量的多个实测值的步骤(a)、

假定用于形成所述评价用晶片的所述要素的工艺条件并通过计算求出经过使用该假定的工艺条件的工艺而形成的所述要素的结构的步骤(b)、

计算利用所述光学的评价方法评价在所述步骤(b)求出的所述要素的结构时得到的物理量的多个测定值的预想值的步骤(c)、

根据所述评价用晶片的所述要素的物理量的所述多个实测值和所述多个测定值的预想值推定所述要素的结构的步骤(d)、

根据所述评价用晶片的所述要素的推定结构与所述多个晶片的设计结构的不同对所述多个晶片中至少所述评价用晶片以外的晶片修改所述工艺的工艺条件的步骤(e)。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述工艺是结晶膜的外延成长工艺。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述结晶膜是包含多个元素的结晶膜。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述结晶膜是包含Si和Ge从而包含禁带倾斜地变化的结构的结晶膜。

13.一种记录媒体，可以组装到利用光学的评价方法进行半导体器件的要素的特性评价所使用的计算机中，其特征在于：

记录使计算机执行取入所述半导体器件的要素的物理量的多个实测值的步骤(a)、

假定用于形成所述要素的工艺条件并通过计算而求出经过使用该假定的工艺条件的工艺而形成的所述要素的结构的步骤(b)、

计算利用所述光学的评价方法评价在所述步骤(b)求出的所述要素的结构时得到的物理量的多个测定值的预想值的步骤(c)、

根据所述要素的物理量的所述多个实测值和所述多个测定值的预想值推定所述要素的结构的步骤(d)、

以上的程序，该记录媒体计算机可以进行读取。

14.根据权利要求13所述的记录媒体，其特征在于：

在所述步骤(d)中，计算评价所述多个物理量的实测值与所述多个测定值的预想值之差的数值，在该值小于阈值之前，经过所述步骤(b)、(c)推定所述要素的结构。