[发明专利]检查装置及检查方法

说明书

技术领域

本发明是关于液晶面板用基板的电极的检查装置及检查方法。

背景技术

现有方法中，为了检测液晶面板用基板的电极的不良性，在组装液晶面板后，在驱动(充电)所有的液晶像素后，将各像素的电化放电，且使放电电流流经设于液晶面板外部的电阻，以检测该电压的下降。

但是，在上述现有的液晶面板检查手法中，无法以高分解能来检查50um位准的电路图案，此外，即使为较大的电极也无法检测到其形状。而且，由于在组装液晶面板后再予以检查，而当判为不良品的情况时，有大大地降低生产性的可能性，且对检查装置的液晶面板的设定也极为复杂。

本发明是为了解决上述课题而提出，其目的在于提供一种可精细且有效地检查液晶面板用的基板的形状的检查装置及检查方法。

发明内容

为了要达成上述目的，本发明的装置为通过提供液晶驱动用的信号至液晶面板用基板，而以非接触方式检测该液晶面板用基板的电位变化的检查装置，其特征为：具备检测机构，使用多个传感器单元检测上述电极的电位变化；以及选择机构，输出选择上述传感器要素用的选择信号；上述传感器单元包括：无源元件，组成于半导体的单结晶上、或者平板上，且作为静电电容耦合的对向电极而动作于上述电极，以检测上述电极的电位变化；以及晶体管，按照上述选择信号的输入而输出通过上述无源元件输出的检测信号。

其特征为：配置上述传感器单元藉以取代构成上述液晶面板的对向电极。

其特征为：上述液晶面板为TFT面板，上述检测机构通过施加液晶驱动用的信号至构成该TFT面板的薄膜晶体管的源极与门极，来检测上述漏极的电位变化。

其特征为：上述晶体管为电流读出用的MOSFET，上述无源元件与作为源极的扩散层成为连续，通过将上述选择信号输入栅极，可自漏极获得检测信号。

其特征为：上述晶体管为电流读出用薄膜晶体管，将上述无源元件与上述薄膜晶体管的源极连接，通过输入上述选择信号至栅极，可自漏极获得检测信号。

其特征为：上述晶体管为串联配置的第1、第2MOSFET，将上述无源元件与上述第1MOSFET的栅极连接，将上述选择信号与上述第2MOSFET的栅极连接，在上述第2MOSFET的漏极接受按照施加于上述第1MOSFET的栅极的上述无源元件的电位变化的上述第1MOSFET的源极电位，且作为检测信号自源极输出。

其特征为：上述晶体管为串联配置的第1、第2薄膜晶体管，将上述无源元件与上述第1薄膜晶体管的栅极连接，将上述选择信号与上述第2薄膜晶体管的栅极连接，按照施加于上述第1薄膜晶体管的栅极的上述无源元件的电位而由上述第2薄膜晶体管的漏极接受变化的上述第1薄膜晶体管的源极电位，再作为检测信号自源极输出。

其特征为：上述晶体管为双载子晶体管，通过将上述无源元件与发射极连接，将上述选择信号与基极连接，而可自集电极获得检测信号。

其特征为：上述晶体管为电荷读出用的MOSFET，上述无源元件与作为源极的扩散层成为连续，通过将上述选择信号输入栅极，以降低形成于栅极下的电位障壁，而将位于源极侧的信号电荷作为检测信号电荷输送至漏极侧，再由连接漏极侧的电荷输送组件输送检测信号。

其特征为：按照上述电极的电位变化提供电荷给上述无源元件，且在电极的电位变化结束前，将形成不会使所提供的上述电荷发生逆流的电位障壁的电荷供给MOS～T的漏极，与上述无源元件的扩散层形成连续。

其特征为：上述传感器单元配置成矩阵状。

其特征为：上述检测机构的传感器单元，又包括接触上述无源元件表面的导体板。

其特征为：又具备遮光机构，是用以防止对上述传感器单元的半导体的光照射。

为了要达成上述目的，本发明的方法为通过提供液晶驱动用的信号至液晶面板用基板，使用多个传感器单元而以非接触方式检测该液晶面板用基板的电位变化的液晶面板的检查方法，其特征为：上述传感器单元包括，无源元件，组成于半导体的单结晶上、或者平板上，且作为静电电容耦合的对向电极而动作于上述电极，藉以检测上述电极的电位变化者；以及晶体管，输出上述无源元件发出的检测信号。

附图说明

图1为利用本发明的第1实施例的检查装置的检查系统的概略图。

图2为本发明的第1实施例的检查系统的电路图。

图3为本发明的第1实施例的TFF面板用基板的剖面图。

图4为显示本发明的第1实施例的计算机的内部结构图。

图5为显示本发明的第1实施例的快闪冲击传感器的电性结构的方块图。