[发明专利]磁存储器有效
| 申请号： | 01802437.8 | 申请日： | 2001-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1388972A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | K·－M·H·伦斯森;J·J·M·鲁格罗克 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/15;G11C11/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥凌,郑建晖 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
1.一种包括磁存储元件阵列(2)的存储器(1)，每个磁存储元件(3)包括至少一层磁材料(4)，所述存储器设置有屏蔽层(14)，用于屏蔽磁场，其特征在于，所述屏蔽层(14)被分成相互隔开的区域(5)。
2.如权利要求1所述的磁存储器(1)，其特征在于，每个存储元件(3)包括第二层磁材料(6)，其借助于非磁材料(7)和第一层磁材料(4)隔开。
3.如权利要求1所述的磁存储器(1)，其特征在于，区域(5)在所述存储元件(2)上的垂直投影包括至少一个存储元件(3)。
4.如权利要求1所述的磁存储器(1)，其特征在于，所述存储元件(3)位于离开屏蔽层(13)的一个小于区域(5)的尺寸(9)的一个距离(8)的位置。
5.如权利要求1所述的磁存储器(1)，其特征在于，所述区域的厚度(10)和每个区域(5)的尺寸(9)之间的比大于0.01∶1。
6.如权利要求5所述的磁存储器(1)，其特征在于，所述区域的厚度(10)和每个区域(5)的尺寸(9)之间的比大于0.1∶1。
7.如权利要求1所述的磁存储器(1)，其特征在于，所述区域(5)的厚度(10)超过磁存储元件(3)的厚度(11)。
8.如权利要求1所述的磁存储器(1)，其特征在于，所述区域(5)的材料具有大于100的磁化率。
9.如权利要求8所述的磁存储器(1)，其特征在于，所述区域(5)的材料具有大于800kA/m的磁饱和值。
10.如权利要求2所述的磁存储器(1)，其特征在于，字线(18)位于区域(5)和存储元件(3)之间。
11.如权利要求1所述的磁存储器(1)，其特征在于，磁存储器和半导体IC(12)集成在一起。
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