[发明专利]具有强电介质电容器的存储单元阵列及其制造方法以及强电介质存储装置

权利要求书

1.一种具有强电介质电容器的存储单元阵列、其特征在于：

以矩阵状排列由强电介质电容器构成的存储单元，

上述强电介质电容器包括：第1信号电极；在与该第1信号电极交叉的方向上排列的第2信号电极；以及至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，

其中，沿着第1信号电极或者第2信号电极以直线状配置上述强电介质层。

2.根据权利要求1所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

上述强电介质层有选择地配置在上述第1信号电极上。

3.根据权利要求1所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

上述强电介质层有选择地配置在上述第2信号电极下。

4.一种具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

以矩阵状排列由强电介质电容器构成的存储单元，

上述强电介质电容器包括：第1信号电极；在与该第1信号电极交叉的方向上排列的第2信号电极；以及至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，

其中，仅在上述第1信号电极与第2信号电极的交叉区域中以块状配置上述强电介质层。

5.根据权利要求2所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

在基体上配置上述强电介质电容器，在由上述第1信号电极及上述强电介质层构成的叠层体的相互之间设置电介质层，使之覆盖上述基体的露出面。

6.根据权利要求5所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

上述电介质层由具有比上述强电介质层小的介电常数的材料构成。

7.根据权利要求5或6所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

在上述基体上形成了具有与该基体的表面不同的表面特性的表面修饰层。

8.根据权利要求7所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

上述表面修饰层配置在不形成上述强电介质电容器的区域中，该表面修饰层的表面具有比上述基体的表面低的、对于构成上述强电介质电容器的材料的亲和性。

9.根据权利要求7所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

上述表面修饰层配置在形成上述强电介质电容器的区域中，该表面修饰层的表面具有比上述基体的表面高的、对于构成上述强电介质电容器的材料的亲和性。

10.根据权利要求3所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

在基体上配置上述强电介质电容器，在由上述强电介质层及上述第2信号电极构成的叠层体的相互之间设置电介质层，使之覆盖上述基体及上述第1信号电极的露出面。

11.根据权利要求10所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

上述电介质层由具有比上述强电介质层小的介电常数的材料构成。

12.根据权利要求4所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

在基体上配置上述强电介质电容器，在由上述第1信号电极及上述强电介质层构成的叠层体的相互之间设置电介质层，使之覆盖上述基体的露出面的一部分。

13.根据权利要求12所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

在上述基体上，还用电介质层覆盖上述基体及上述第1信号电极的露出面。

14.根据权利要求12或13所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

上述电介质层由具有比上述强电介质层小的介电常数的材料构成。

15.根据权利要求12或13所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

在上述基体上形成具有与该基体的表面不同的表面特性的表面修饰层。

16.根据权利要求15所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于：

上述表面修饰层配置在不形成上述强电介质电容器的区域中，该表面修饰层的表面具有比上述基体的表面低的、对于构成上述强电介质电容器的材料的亲和性。