[发明专利]温度补偿型振荡器

权利要求书

1.温度补偿型振荡器，它的特征是它是具有

振荡电路，

通过控制电压改变上述振荡电路的振荡频率的频率调整电路，

检测上述振荡电路近旁的温度，根据这个检测出的温度至少产生1个输出电压的温度检测电路，和

包含根据来自该温度检测电路的输出电压，产生作为上述控制电压的3次项电压的3次项电压发生电路的控制电压发生电路的温度补偿型振荡器，

上述3次项电压发生电路具有

源极与第1电源线连接的第1MOS晶体管，

与这个第1MOS晶体管不同导电型的，源极与第2电源线连接的第2MOS晶体管，

根据上述温度检测电路的输出电压，产生第1栅极电压的第1栅极电压发生电路，和

根据上述温度检测电路的输出电压，产生第2栅极电压的第2栅极电压发生电路，

输出上述第1栅极电压发生电路的第1栅极电压的输出端与上述第1MOS晶体管的栅极连接，

输出上述第2栅极电压发生电路的第2栅极电压的输出端与上述第2MOS晶体管的栅极连接，

上述第1MOS晶体管的漏极和上述第2MOS晶体管的漏极共同连接起来，形成上述控制电压的输出端。

2.温度补偿型振荡器，它的特征是它是具有

振荡电路，

通过控制电压改变上述振荡电路的振荡频率的频率调整电路，

检测上述振荡电路近旁的温度，根据这个检测出的温度至少产生1个输出电压的温度检测电路，和

包含根据来自该温度检测电路的输出电压，产生作为上述控制电压的2次项电压的2次项电压发生电路的控制电压发生电路的温度补偿型振荡器，

上述2次项电压发生电路具有

源极与第1电源线连接的第1MOS晶体管，

与上述第1MOS晶体管相同导电型的，源极与第2电源线连接的第2MOS晶体管，

根据上述温度检测电路的输出电压，产生第1栅极电压的第1栅极电压发生电路，和

根据上述温度检测电路的输出电压，产生第2栅极电压的第2栅极电压发生电路，

输出上述第1栅极电压发生电路的上述第1栅极电压的输出端与上述第1MOS晶体管的栅极连接，

输出上述第2栅极电压发生电路的上述第2栅极电压的输出端与上述第2MOS晶体管的栅极连接，

上述第1MOS晶体管的漏极和上述第2MOS晶体管的漏极共同连接起来，形成上述控制电压的输出端。

3.温度补偿型振荡器，它的特征是

在权利要求第1项或第2项记载的温度补偿型振荡器中，

上述控制电压的输出端进一步通过电阻元件至少与1个任意电压源连接。

4.温度补偿型振荡器，它的特征是

在权利要求第3项记载的温度补偿型振荡器中，

上述电阻元件具有100kΩ以上的电阻值。

5.温度补偿型振荡器，它的特征是

在权利要求第1项记载的温度补偿型振荡器中，

上述控制电压的输出端，进一步通过第1电阻元件，与上述第1电源线或与其同极性的电源线连接，并且通过第2电阻元件，与上述第2电源线或与其同极性的电源线连接。

6.温度补偿型振荡器，它的特征是

在权利要求第5项记载的温度补偿型振荡器中，

对于上述第1电阻元件和第2电阻元件的电阻值，温度系数是不同的。

7.温度补偿型振荡器，它的特征是

在权利要求第6项记载的温度补偿型振荡器中，

作为上述第1电阻元件和第2电阻元件，设置多个电阻值温度系数的组合不同的电阻元件组，并且设置能够选择地切换使用这些多个电阻元件组中任何一组的切换装置。

8.温度补偿型振荡器，它的特征是

在权利要求第1项或第2项记载的温度补偿型振荡器中，

上述第1和第2栅极电压发生电路中至少一方是根据上述温度检测电路的输出电压和任意的参照电压之差产生上述第1或第2栅极电压的电路。

9.温度补偿型振荡器，它的特征是

在权利要求第1项或第2项记载的温度补偿型振荡器中，

上述第1和第2栅极电压发生电路中至少一方是根据外部数据可以控制产生的栅极电压的电路。