[发明专利]一种具有多孔绝缘层和空气隙的半导体设备的制造方法

权利要求书

1.一种半导体设备的制造方法，该方法包括一个双重镶嵌结构(20)，此双重镶嵌结构包括一个金属层(1)及位于金属层(1)之上的带有通路(3)的第一绝缘层(2)，在第一绝缘层(2)之上，带有互连槽(6)的第二绝缘层(5)，其中通路(3)和互连槽(6)中存在有顶面(10)的金属线路(9)形成的金属，其特征在于，所述方法还包括以下步骤

-去除第二绝缘层(5)，

-在第一绝缘层(2)和金属线路(9)上添加可移除层(12)，

-将可移除层(12)与金属线路(9)的顶面(10)对齐，

-在可移除层(12)上添加一个多孔绝缘层(13)，

-通过多孔绝缘层(13)去除可移除层(12)来形成空气隙(14)。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一绝缘层(2)和第二绝缘层(5)之间添加一个侵蚀阻挡层(4)。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所用的金属为铜。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在去除第二绝缘层(5)后，在金属线路(9)之上覆盖一层非导电阻挡层(11)。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，用氮化硅或碳化硅作为非导电阻挡层(11)。

6.如以上任一权利要求所述的方法，其特征在于，用一种旋制涂覆材料作为多孔绝缘层(13)。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，旋制涂覆材料包括SiLK。

8.如权利要求1至5中的任一所述的方法，其特征在于，用一个等离子CVD层作为多孔绝缘层(13)。

9.如以上任一权利要求所述的方法，其特征在于，可移除层(12)包括一种聚合物，并且可移除层(12)的移除过程包括一个加热的步骤。