[发明专利]半导体电感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 01802723.7 申请日: 2001-07-11
公开(公告)号: CN1388977A 公开(公告)日: 2003-01-01
发明(设计)人: S·波斯拉 申请(专利权)人: 皇家菲利浦电子有限公司
主分类号: H01F41/04 分类号: H01F41/04;H01F17/00;H01L23/64
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴立明,王忠忠
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 电感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件的制造方法,该半导体器件的衬底上配置有电感器结构及导电通道,该方法包括以下步骤:

-提供表面布置有导电图形的衬底,该表面上有第一介电层;

-在第一介电层里形成通道沟槽及电感器沟槽,这样第二电感器沟槽具有电感器几何形状;

-在第一介电层里形成互联金属化沟槽和附加的电感器沟槽,该电感器沟槽具有电感器几何形状;以及

-用导电材料填充所述的沟槽,以此衬底表面的图形,填充的通道沟槽以及填充的互联金属化沟槽确定了通道,并且以此电感器沟槽和附加的电感器沟槽确定了电感器结构。

2.如权利要求1中要求的方法,其特征在于:该方法包括其他步骤:

-提供第二介电层;

-在第二介电层里形成通道沟槽及附加电感器沟槽,从而电感器沟槽具有电感器几何形状;

-在第二介电层里形成金属化沟槽和电感器沟槽,该电感器沟槽具有电感器几何形状;以及

-用导电材料填充刚提到的这些沟槽,以此使衬底表面的图形,填充的通道沟槽以及填充的互联金属化沟槽确定通道,并且以此电感器沟槽和附加的电感器沟槽构成电感器结构的部件。

3.如权利要求1或2中所要求的方法,其特征在于:填充的互联金属化沟槽确定第一介电层内的金属化线;

4.如权利要求1中所要求的方法,其特征在于:

-第一介电层含有氧化物,以及

-所述的沟槽是通过刻蚀氧化物而形成的。

5.如权利要求1或2中所要求的方法,其特征在于:

-在填充沟槽之前,沉积阻挡层和籽粒层,以及

-导电材料是铜。

6.一种配置有衬底和电感器结构的半导体器件,该器件衬底的表面包括:

-具有第一厚度的第一介电层;

-第一金属化平面安置在第一介电层的第一部分,该第一金属化平面包括具有电感器几何形状的第一电感器线;

-第二金属化平面安置在第一介电层的第二部分,该第二金属化平面包括具有电感器几何形状的第二电感器线,并且被安置在第一金属化平面之上,该第一介电层的第一和第二部分确定了第一厚度,此电感器结构包括第一和第二电感器线。

7.如权利要求6中所要求的半导体器件,其特征在于:该器件还包括:

-具有第二厚度的第二介电层,该第二介电层被安置在第一介电层之上;

-第三金属化平面被安置在第二介电层的第一部分,该第三金属化平面包括具有电感器几何形状的第三电感器线;以及

-第四金属化平面被安置在第二介电层的第二部分,该第四金属化平面包括具有电感器几何形状的第四电感器线,并且被安置在第三金属化平面之上,该第二介电层的第一和第二部分确定了第二厚度,该第三和第四电感器线是电感器结构的部件。

8.如权利要求6中所要求的半导体器件,其特征在于:在第一和第二金属化平面有金属化线,它们与衬底表面的导电图形形成导电通道。

9.如权利要求7中所要求的半导体器件,其特征在于第二厚度大于第一厚度。

10.如权利要求6或7中所要求的半导体器件,其特征在于:导电材料是铜。

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