[发明专利]半导体电感器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，该半导体器件的衬底上配置有电感器结构及导电通道，该方法包括以下步骤：

-提供表面布置有导电图形的衬底，该表面上有第一介电层；

-在第一介电层里形成通道沟槽及电感器沟槽，这样第二电感器沟槽具有电感器几何形状；

-在第一介电层里形成互联金属化沟槽和附加的电感器沟槽，该电感器沟槽具有电感器几何形状；以及

-用导电材料填充所述的沟槽，以此衬底表面的图形，填充的通道沟槽以及填充的互联金属化沟槽确定了通道，并且以此电感器沟槽和附加的电感器沟槽确定了电感器结构。

2.如权利要求1中要求的方法，其特征在于：该方法包括其他步骤：

-提供第二介电层；

-在第二介电层里形成通道沟槽及附加电感器沟槽，从而电感器沟槽具有电感器几何形状；

-在第二介电层里形成金属化沟槽和电感器沟槽，该电感器沟槽具有电感器几何形状；以及

-用导电材料填充刚提到的这些沟槽，以此使衬底表面的图形，填充的通道沟槽以及填充的互联金属化沟槽确定通道，并且以此电感器沟槽和附加的电感器沟槽构成电感器结构的部件。

3.如权利要求1或2中所要求的方法，其特征在于：填充的互联金属化沟槽确定第一介电层内的金属化线；

4.如权利要求1中所要求的方法，其特征在于：

-第一介电层含有氧化物，以及

-所述的沟槽是通过刻蚀氧化物而形成的。

5.如权利要求1或2中所要求的方法，其特征在于：

-在填充沟槽之前，沉积阻挡层和籽粒层，以及

-导电材料是铜。

6.一种配置有衬底和电感器结构的半导体器件，该器件衬底的表面包括：

-具有第一厚度的第一介电层；

-第一金属化平面安置在第一介电层的第一部分，该第一金属化平面包括具有电感器几何形状的第一电感器线；

-第二金属化平面安置在第一介电层的第二部分，该第二金属化平面包括具有电感器几何形状的第二电感器线，并且被安置在第一金属化平面之上，该第一介电层的第一和第二部分确定了第一厚度，此电感器结构包括第一和第二电感器线。

7.如权利要求6中所要求的半导体器件，其特征在于：该器件还包括：

-具有第二厚度的第二介电层，该第二介电层被安置在第一介电层之上；

-第三金属化平面被安置在第二介电层的第一部分，该第三金属化平面包括具有电感器几何形状的第三电感器线；以及

-第四金属化平面被安置在第二介电层的第二部分，该第四金属化平面包括具有电感器几何形状的第四电感器线，并且被安置在第三金属化平面之上，该第二介电层的第一和第二部分确定了第二厚度，该第三和第四电感器线是电感器结构的部件。

8.如权利要求6中所要求的半导体器件，其特征在于：在第一和第二金属化平面有金属化线，它们与衬底表面的导电图形形成导电通道。

9.如权利要求7中所要求的半导体器件，其特征在于第二厚度大于第一厚度。

10.如权利要求6或7中所要求的半导体器件，其特征在于：导电材料是铜。