[发明专利]薄膜半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 01802773.3 | 申请日： | 2001-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1393032A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 次六宽明;宫坂光敏;小川哲也;时冈秀忠 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社;三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于，这种利用基片上形成的半导体膜作为半导体装置的激活区(半导体装置激活区)的薄膜半导体装置的制造方法包括如下各工序：
在基片上设置对后来成为半导体装置激活区的半导体膜(活性半导体膜)部位进行局部加热之局部加热机构的加热机构形成工序；
在所述加热机构形成工序后形成活性半导体膜的活性半导体膜形成工序；
在所述局部加热机构使所述活性半导体膜局部过热的状态下，使所述活性半导体膜熔融结晶化的结晶化工序；以及
对所述活性半导体膜作岛状加工来形成半导体装置激活区的元件分离工序。
2.如权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：所述半导体装置激活区的长度L(μm)加工成短于所述局部加热机构的长度LHS(μm)，即L＜LHS。
3.如权利要求2所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述元件分离工序中加工所述活性半导体膜，使所述半导体装置激活区在长度方向上为所述局部加热机构所包含。
4.如权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述加热机构形成工序中，所述局部加热机构的长度LHS(μm)被加工成约7μm以下，即LHS＜7μm。
5.如权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述元件分离工序中加工所述活性半导体膜，使所述半导体装置激活区的长度L(μm)为所述局部加热机构长度LHS(μm)的约一半以下，即L＜LHS/2。
6.如权利要求5所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述元件分离工序中加工所述活性半导体膜，使所述半导体装置激活区在长度方向上为所述局部加热机构所完全包含，且前者不包含所述局部加热机构的长度方向中心附近的部分。
7.如权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述元件分离工序中，所述半导体装置激活区的宽度W(μm)被加工成短于所述局部加热机构的宽度WHS(μm)，即W＜WHS。
8.如权利要求7所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述元件分离工序中，所述半导体装置激活区的宽度W(μm)被加工成短于所述局部加热机构的宽度WHS(μm)约6μm以上，即W＜WHS-6μm。
9.如权利要求7所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述元件分离工序中加工所述活性半导体膜，使所述半导体装置激活区在宽度方向上为所述局部加热机构所包含。
10.如权利要求7所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述元件分离工序中加工所述活性半导体膜，使所述半导体装置激活区长度方向的边缘位于所述局部加热机构长度方向的边缘以内约1.5μm以上处。
11.如权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于所述加热机构形成工序包含：
在基片上淀积第一半导体膜的第一半导体膜淀积工序；
将所述第一半导体膜加工成规定形状的第一半导体膜加工工序；以及
在所述第一半导体膜上形成下侧绝缘膜的下侧绝缘膜形成工序。
12.如权利要求11所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：所述第一半导体膜的厚度为约25nm以上至约100nm以下。
13.如权利要求11所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：所述第一半导体膜的厚度为约30nm以上至约70nm以下。
14.如权利要求11所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：所述第一半导体膜是以硅为主体的半导体膜。
15.如权利要求11所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：所述下侧绝缘膜的厚度为约130nm以上至约180nm以下。
16.如权利要求1所述的薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于：所述活性半导体膜形成工序包含淀积非晶体半导体膜的非晶体半导体膜淀积工序。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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