[发明专利]制造自旋阀结构的方法无效
| 申请号： | 01802787.3 | 申请日： | 2001-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1393022A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | M·F·吉利斯;A·E·T·凯珀 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/30 | 分类号： | H01F41/30;H01F10/32;H01L43/12;G11B5/39;G01R33/09;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,陈霁 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 自旋 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造巨磁阻型自旋阀结构的方法，该结构包含一磁性层、一非磁性层和一铁磁材料传感层的叠层，该方法包含这些步骤，氧化传感层铁磁材料的步骤，随之以在被氧化的传感层铁磁材料上淀积铝的步骤，其后利用被氧化的传感层铁磁材料的氧将该铝氧化成氧化铝膜。
2.根据权利要求1的方法，其中选择金属Co、CoFe合金或NiFe合金作为形成传感层的铁磁材料。
3.一种根据权利要求1或2的方法获得的巨磁阻型自旋阀结构。
4.一种配备有可通过根据权利要求1或2的方法获得的自旋阀结构的读出磁头。
5.一种配备有可通过根据权利要求1或2的方法获得的自旋阀结构的场传感器。
6.一种配备有可通过根据权利要求1或2的方法获得的自旋阀结构的磁性存储器。
7.一种从磁性存储介质读取信息的装置，该装置包含根据权利要求4的读出磁头。
8.一种包含根据权利要求6的磁性存储器的电子电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家菲利浦电子有限公司，未经皇家菲利浦电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01802787.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用副传感器优化视频通信
- 下一篇：压电陶瓷及使用了该陶瓷的压电陶瓷元件
