[发明专利]薄膜磁传感器

权利要求书

1.一种薄膜磁传感器，其特征在于，

具有第1元件及第2元件，

所述第1元件包括利用具有规定气隙长的气隙一分为二并且以规定膜厚及规定宽度与所述气隙接触的软磁性薄膜、埋入该软磁性薄膜的气隙中形成的巨磁阻薄膜、以及与一分为二的各软磁性薄膜电气连接的第1及第2端子，

所述第2元件包括利用具有实质上与所述气隙长相等的气隙长的气隙一分为二并且以实质上与所述膜厚相等的膜厚及实质上与所述宽度相等的宽度与该气隙接触的导体膜、埋入该导体膜的气隙中形成的巨磁阻薄膜、以及与一分为二的各导体膜电气连接的第1及第2端子，

将所述第1元件的第1端子与第1电阻的一端连接，

将所述第1电阻的另一端与第2电阻的一端连接，

将所述第2电阻的另一端与所述第2元件的第1端子连接，

将所述第2元件的第2端子与所述第1元件的第2端子连接，从而形成电桥电路，

在所述第1元件的第1端子与所述第2元件的第1端子之间加上规定的电压，根据所述第1元件的第2端子与所述第1电阻的所述另一端之间的电压检测磁场。

2.如权利要求1所述的薄膜磁传感器，其特征在于，

所述第1电阻是第3元件，所述第3元件包括利用具有实质上与所述气隙长相等的气隙长的气隙一分为二并且以实质上与所述膜厚相等的膜厚及实质上与所述宽度相等的宽度与该气隙接触的导体膜、埋入该导体膜的气隙中形成的巨磁阻薄膜、以及与一分为二的各导体膜电气连接的第1及第2端子。

所述第2电阻是第4元件，所述第4元件包括利用具有实质上与所述气隙长相等的气隙长的气隙一分为二并且以实质上与所述膜厚相等的膜厚及实质上与所述宽度相等的宽度与该气隙接触的软磁性薄膜、埋入该软磁性薄膜的气隙中形成的巨磁阻薄膜、以及与一分为二的各导体膜电气连接的第1及第2端子，

将所述第1元件的第1端子与所述第3元件的第1端子连接。

将所述第3元件的第2端子与所述第4元件的第1端子连接，

将所述第4元件的第2端子与所述第2元件的第1端子连接，

将所述第2元件的第2端子与所述第1元件的第2端子连接形成电桥电路，

在所述第1元件的第1端子与所述第2元件的第1端子之间加上规定的电压，根据所述第1元件的第2端子与所述第3元件的第2端子之间的电压检测磁场。

3.如权利要求1所述的薄膜磁传感器，其特征在于，

所述导体膜的材料与所述软磁性膜的材料相同，

所述导体膜的平面上的面积与软磁性薄膜的平面上的面积相比，为1/10以下。

4.如权利要求1所述的薄膜磁传感器，其特征在于，沿与气隙接触的线平行的线测量的所述软磁性薄膜的宽度尺寸的至少一部分大于所述软磁性薄膜与气隙接触的线的宽度。

5.如权利要求1所述的薄膜磁传感器，其特征在于，所述软磁性薄膜的磁特性是单轴各向异性，其易磁化轴方向实质上是与所述气隙接触的线平行的方向。

6.一种薄膜磁传感器，其特征在于，

具有磁传感器元件及对所述磁传感器元件加上偏置磁场的磁场发生部分，

所述磁传感器元件包括利用具有规定气隙长的气隙一分为二并且具有与该气隙的两侧接触的规定厚度及宽度的软磁性薄膜，埋入该气隙中形成的巨磁阻薄膜、以及与一分为二的各软磁性薄膜电气连接的电气端子，

所述磁传感器元件利用所述偏置磁场，从所述电气端子同时检测外部磁场的大小及极性。

7.如权利要示6所述的薄膜磁传感器，其特征在于，所述磁场发生部分是软磁性膜与硬磁性膜构成的多层膜中的该硬磁性膜。

8.如权利要求6所述的薄膜磁传感器，其特征在于，所述磁场发生部分是软磁性膜与反强磁性膜构成的多层膜中的该反强磁性膜。

9.如权利要求6所述的薄膜磁传感器，其特征在于，所述磁场发生部分是配置在磁传感器元件外部的硬磁性体构件或反强磁性体构件。

10.如权利要求6所述的薄膜磁传感器，其特征在于，所述磁场发生部分是配置在磁传感器元件外部的硬磁性膜或反强磁性膜。