[发明专利]用于半导体蚀刻室的内衬

权利要求书

1.一种内衬，用于干蚀刻室顶盖内部，包含一种高性能树脂。

2.根据权利要求1的内衬，其具有圆顶的形状。

3.根据权利要求1的内衬，其顶部有开口。

4.根据权利要求1的内衬，其具有大于2.0mm的壁厚。

5.根据权利要求1的内衬，其具有大于3.0mm，小于8.0mm的壁厚。

6.根据权利要求1的内衬，其中的高性能树脂为热塑性树脂。

7.根据权利要求1的内衬，其中的高性能树脂选自聚苯并咪唑、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚芳醚酮、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、芳香族聚酰胺、四氟乙烯/全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(FEP)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氟乙烯(PVF)和乙烯/四氟乙烯共聚物(ETFE)。

8.根据权利要求1的内衬，其中的高性能树脂为聚酰亚胺或聚醚酰亚胺。

9.根据权利要求1的内衬，其中的高性能树脂不含卤素原子。

10.一种内衬，用于干蚀刻室侧壁内部，包含一种高性能树脂，并且具有大于2.0mm的壁厚。

11.根据权利要求10的内衬，其具有圆柱形状。

12.根据权利要求10的内衬，其具有大于3.0mm，小于8.0mm的壁厚。

13.根据权利要求10的内衬，其中的高性能树脂为热塑性树脂。

14.根据权利要求10的内衬，其中的高性能树脂选自聚苯并咪唑、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚芳醚酮、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、芳香族聚酰胺、四氟乙烯/全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(FEP)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氟乙烯(PVF)和乙烯/四氟乙烯共聚物(ETFE)。

15.根据权利要求10的内衬，其中的高性能树脂为聚酰亚胺或聚醚酰亚胺。

16.根据权利要求10的内衬，其中的高性能树脂不含卤素原子。

17.一种包含权利要求1的内衬的干蚀刻室。

18.一种包含权利要求10的内衬的干蚀刻室。

19.根据权利要求17的干蚀刻室，其进一步包含权利要求10的内衬。

20.根据权利要求17的干蚀刻室，其中的内衬和室顶盖之间的空隙小于0.8mm。

21.根据权利要求18的干蚀刻室，其中的内衬和室侧壁之间的空隙小于0.8mm。

22.根据权利要求17的干蚀刻室，其中的内衬非机械地与室顶盖相连。