[发明专利]磁记录介质,磁记录介质的制造方法,以及磁记录装置

权利要求书

1.一种磁记录介质，其中包括：

基板和；

用于记录信息的磁性层和；

位于上述基板和上述磁性层之间的结晶质基层；

上述基层是通过共振吸收而产生等离子体，使产生的等离子体冲撞靶子，溅射出靶粒子，通过在上述基板和上述靶子之间施加偏电压，把溅射出的靶粒子一边诱导至上述基板上一边使其堆集而形成。

2.权利要求1中所述的磁记录介质，还包括在上述基层和上述磁性层之间的由金属构成的控制层。

3.权利要求2中所述的磁记录介质，其中，上述基层是由氧化镁构成的。

4.权利要求3中所述的磁记录介质，其中，上述控制层是至少由2层构成的，而该至少2层的控制层分别由金属构成的，并且，上述磁性层的晶格常数和上述各控制层的晶格常数之差，愈接近上述磁性层的控制层则愈小。

5.权利要求4中所述的磁记录介质，其中，由上述至少2层构成的控制层中，接触上述基层的控制层是通过共振吸收来产生等离子体，使产生的等离子体冲撞靶子，溅射出靶粒子，通过在上述基板和上述靶子之间施加偏电压，一边把溅射出的靶粒子诱导至上述基层上一边使其堆集而形成。

6.权利要求4中所述的磁记录介质，其中，由上述至少2层构成的控制层，分别由Cr或Ni，或者，Cr合金或Ni合金构成。

7.权利要求6中所述的磁记录介质，其中，上述Cr合金或Ni合金，除基本元素以外，含有选自Cr、Ti、Ta、V、Ru、W、Mo、Nb、Ni、Zr、及Al中的至少1种元素。

8.权利要求4中所述的磁记录介质，其中，由上述至少2层构成的控制层，分别具有hcp结构、bcc结构或B2结构。

9.权利要求8中所述的磁记录介质，其中，由上述至少2层构成的控制层分别以一定方位进行结晶定向。

10.权利要求8中所述的磁记录介质，其中，上述基层及由上述至少2层构成的控制层的各种晶粒，在膜厚方向生长为柱状。

11.权利要求10中所述的磁记录介质，其特征是，在上述基层及由上述至少2层构成的控制层的基板面的垂直的面内，在各层间形成结晶晶格的连接。

12.权利要求4中所述的磁记录介质，其特征是，上述基层及由上述至少2层构成的控制层的各层的膜厚分别在2nm以上，上述基层及由上述至少2层构成的控制层的各层的总膜厚在50nm以下。

13.权利要求4中所述的磁记录介质，其中，上述磁性层，在由上述至少2层构成的控制层中，从与该磁性层接触的控制层上进行外延生长。

14.权利要求13中所述的磁记录介质，其中，在由上述至少2层构成的控制层中，接触上述磁性层的控制层的晶格常数与该磁性层的晶格常数之差在5％以下。

15.权利要求13中所述的磁记录介质，其中，通过上述基层及由上述至少2层构成的控制层的形成，对选自上述磁性层的密度、表面的平坦性、结晶生长的方位、经晶结构、粒径及粒径分布中的至少1种进行控制。

16.权利要求15中所述的磁记录介质，其中，由上述基层控制上述磁性层中的磁性粒子的结晶定向性。

17.权利要求16中所述的磁记录介质，其中，上述磁性粒子的结晶定向性是Co的(11.0)。

18.权利要求15中所述的磁记录介质，其中，上述磁性层的磁性粒子的粒径是近似圆形直径为10nm以下，并且，磁性粒径的分布中的标准偏差为平均粒径的8％以下。

19.权利要求3中所述的磁记录介质，其中，由上述氧化镁构成的基层是光学透明的。

20.权利要求19中所述的磁记录介质，其中，上述基层的膜厚在2nm～10nm的范围内。

21.权利要求20中所述的磁记录介质，其中，上述控制层是由Cr或Ni，或者，Cr合金或Ni合金构成的。

22.权利要求21中所述的磁记录介质，其中，上述Cr合金或Ni合金，除基本元素以外，含有选自Cr、Ti、Ta、V、Ru、W、Mo、Nb、Ni、Zr、及Al中的至少1种元素。