[发明专利]压电陶瓷

权利要求书

1.压电陶瓷，其特征是含有结晶构造不同的三种以上的钙钛矿构造化合物。

2.压电陶瓷，其特征是含有包含结晶构造不同的三种以上的钙钛矿构造化合物的固溶体。

3.如权利要求1或2所述的压电陶瓷，其特征是含铅(Pb)量是1质量％以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的压电陶瓷，其特征是上述钙钛矿构造化合物含有菱面晶系钙钛矿构造化合物和正方晶系钙钛矿构造化合物和斜方晶系钙钛矿构造化合物。

5.如权利要求4所述的压电陶瓷，其特征是上述菱面晶系钙钛矿构造化合物和正方晶系钙钛矿构造化合物和斜方晶系钙钛矿构造化合物的摩尔组成比是在化学式18所示的范围内。

6.如权利要求5所述的压电陶瓷，其特征是上述化学式18中，a，b及c分另别为满足a+b+c＝1，0.50＜a≤0.99，0＜b≤0.30，0＜c＜0.20范围的值。

7.如权利要求4～6中任一项所述的压电陶瓷，其特征是菱面晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物及斜方晶系钙钛矿构造化合物的组成比和这些化合物的位于A位元素对位于B位元素的组成比具有数式7所表示的关系。

8.如权利要求1～3中任一项所述的压电陶瓷，其特征是上述钙钛矿构造化合物含有菱面晶系钙钛矿构造化合物和正方晶系钙钛矿构造化合物和立方晶系钙钛矿构造化合物。

9.如权利要求8所述的压电陶瓷，其特征是上述菱面晶系钙钛矿构造化合物和正方晶系钙钛矿构造化合物和立方晶系钙钛矿构造化合物的摩尔组成比是在化学式19所示的范围。

10.如权利要求8或9所述的压电陶瓷，其特征是菱面晶系钙钛矿构造化合物、正方晶系钙钛矿构造化合物及立方晶系钙钛矿构造化合物的组成比和这些元素的位于A位元素对位于B位元素的组成比具有数式8所表示的关系。

11.压电陶瓷，其特征是包括含有钛酸钠铋的第1氧化物和、含有钛酸钾铋及钛酸钡群中至少一种的第2氧化物和含有铌酸钠、铌酸钾及钛酸钙群中至少一种的第3氧化物。

12.压电陶瓷，其特征是含有固溶体，该固溶体包括含有钛酸钠铋的第1氧化物和、含有钛酸钾铋及钛酸钡群中至少一种的第2氧化物和含有铌酸钠、铌酸钾及钛酸钙群中至少一种的第3氧化物。

13.如权利要求11或12所述的压电陶瓷，其特征是作为上述第2氧化物是含有钛酸钾铋或钛酸钡。

14.如权利要求11～13中任一项所述的压电陶瓷，其特征是上述第1氧化物和上述第2氧化物和上述第3氧化物的摩尔组成比是在化学式20所示的范围。

15.如权利要求14所述的压电陶瓷，其特征是a，b及c分别为满足a+b+c＝1，0.50＜a≤0.99，0＜b≤0.30，0＜c＜0.20范围的值。

16.如权利要求11～15中任一项所述的压电陶瓷，其特征是上述第1氧化物是由含有钠(Na)及铋(Bi)群中至少一种的第1氧化物第1元素和、含有钛(Ti)的第1氧化物第2元素和、氧(O)构成的，

上述第2氧化物是由含有钾(K)及铋(Bi)及钡(Ba)群中至少一种的第2氧化物第1元素和、含有钛的第2氧化物第2元素和、氧构成的，

上述第3氧化物是由含有钠、钾及钙(Ca)群中至少一种的第3氧化物第1元素和、含有铌及钛群中至少一种的第3氧化物第2元素和、氧构成的，

上述第1氧化物、上述第2氧化物及上述第3氧化物的组成比和第1氧化物第1元素对第1氧化物第2元素的组成比、第2氧化物第1元素对第2氧化物第2元素的组成比、第3氧化物第1元素对第3氧化物第2元素的组成比，具有数式9所示的关系。

17.压电陶瓷，其特征是包括含有钛酸钠铋的第1氧化物和、含有钛酸钾铋及钛酸钡群中至少一种的第2氧化物和、含有钛酸锶的第4氧化物。

18.压电陶瓷，其特征是含有固溶体，该固溶体包括含有钛酸钠铋的第1氧化物和、含有钛酸钾铋及钛酸钡群中至少一种的第2氧化物和、含有钛酸锶的第4氧化物。