[发明专利]退火单晶片的制造方法及退火单晶片

权利要求书

1.一种退火单晶片的制造方法，其特征在于对以柴可劳斯基法制作的硅单晶片，以600-1100℃的温度范围进行第一热处理，以在基质中形成氧析出物后，再以1150-1300℃的温度范围进行第二热处理。

2.根据权利要求1所述的退火单晶片的制造方法，其中所述硅单晶片的直径在300mm以上。

3.根据权利要求1所述的退火单晶片的制造方法，其中所述硅单晶片的氮浓度为1×10¹²-5×10¹⁵/cm³。

4.根据权利要求1-3的任意1项所述的退火单晶片的制造方法，其中所述氧析出物的密度为5×10⁸-5×10¹²/cm³。

5.根据权利要求1-4的任意1项所述的退火单晶片的制造方法，其中所述第一热处理，是指以600-900℃的温度范围所进行的析出核形成热处理，以及在其后以950-1100℃的温度范围所进行的析出物成长热处理的两阶段热处理。

6.根据权利要求1-5的任意1项所述的退火单晶片的制造方法，其中所述第二热处理，是在氢气或氩气气氛，或其混合气体的气氛下进行。

7.一种退火单晶片，是属于根据权利要求1至6的任何1项中所述的退火单晶片，其特征在于具有形成于单晶片的DZ层，及氧析出物的密度为5×10⁸-5×10¹²/cm³的基质部。