[发明专利]电路图形检测装置和电路图形检测方法

权利要求书

1.一种电光学元件，包括：

电光学晶体层；

设置在所述电光学晶体层的光入射侧的透明电极层；以及

设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间的防反射层。

2.如权利要求1所述的电光学元件，其中，还包括设置在所述透明电极层和所述防反射层之间的粘接剂层。

3.如权利要求2所述的电光学元件，其中，还包括设置在所述电光学晶体层的光入射侧的相反侧的反射层。

4.如权利要求2所述的电光学元件，其中，还包括设置在所述透明电极层的光入射侧的透明基板。

5.如权利要求1所述的电光学元件，其中，所述电光学晶体层包括按照施加的电压来改变双折射率的晶体层。

6.一种电路图形检测装置，包括：

在形成了电路图形的电路基板附近设置的权利要求1所述的电光学元件；

将与电路图形对应的电场提供给所述电光学晶体层的电场发生电路；以及

按照随提供的电场改变的双折射率来检测偏振面变化的所述电光学元件的反射光的强度分布的检测器。

7.如权利要求6所述的电路图形检测装置，其中，所述电场发生电路还包括将所述电光学元件接地，将交流电压施加到所述电路图形上的信号源。

8.如权利要求6所述的电路图形检测装置，其中，所述电场发生电路还包括将所述电路图形接地，将交流电压施加到所述电光学元件上的信号源。

9.如权利要求6所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器将多次的检测结果进行加法平均。

10.如权利要求6所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器包括解析装置，该解析装置计算将光入射到所述电光学元件时的反射光的强度分布和不入射光时的反射光的强度分布的差值，按照该差值来检查电路图形。

11.一种电光学元件，包括：

电光学晶体层；

设置在所述电光学晶体层的光入射侧的透明电极层；

设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间的粘接剂层；

设置在所述电光学晶体层和所述粘接剂层之间的第1防反射层；以及

设置在所述透明电极层和所述粘接剂层之间的第2防反射层。

12.如权利要求11所述的电光学元件，其中，还包括设置在所述电光学晶体层的光入射侧的相反侧的反射层。

13.如权利要求11所述的电光学元件，其中，还包括设置在所述透明电极层的光入射侧的透明基板。

14.如权利要求11所述的电光学元件，其中，所述电光学晶体层包括按照施加的电压来改变双折射率的晶体层。

15.一种电路图形检测装置，包括：

在形成了电路图形的电路基板附近设置的权利要求11所述的电光学元件；

将与电路图形对应的电场提供给所述电光学晶体层的电场发生电路；以及

按照随提供的电场改变的双折射率来检测偏振面变化的所述电光学元件的反射光的强度分布的检测器。

16.如权利要求11所述的电路图形检测装置，其中，所述电场发生电路还包括将所述电光学元件接地，将交流电压施加到所述电路图形上的信号源。

17.如权利要求11所述的电路图形检测装置，其中，所述电场发生电路还包括将所述电路图形接地，将交流电压施加到所述电光学元件上的信号源。

18.如权利要求11所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器将多次的检测结果进行加法平均。

19.如权利要求11所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器包括解析装置，该解析装置计算将光入射到所述电光学元件时的反射光的强度分布和不入射光时的反射光的强度分布的差值，按照该差值来检查电路图形。