[发明专利]形成电极或像素电极的方法和一种液晶显示设备无效

专利信息
申请号: 01804122.1 申请日: 2001-09-26
公开(公告)号: CN1397027A 公开(公告)日: 2003-02-12
发明(设计)人: H·塔纳卡;Y·哈塔 申请(专利权)人: 皇家菲利浦电子有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1335
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳,傅康
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 形成 电极 像素 方法 一种 液晶显示 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种欲在光敏膜上形成的形成电极的方法、一种形成像素电极的方法和一种液晶显示设备。

发明背景

如通常所知,有两种类型的液晶显示设备:一种被提供以背光的透射型液晶显示设备和一种利用外部光线的反射型液晶显示设备。为了反射外部光线,给反射型液晶显示设备提供包含具有高反射特性的Al或Ag金属的像素电极。特别地,这样的反射液晶显示设备可能需要向不同的方向散射外部光线以提高欲显示图像的质量。为了这个目的,通常给像素电极提供凹槽/凸起。依照被提供以这样凹槽/凸起的像素电极,可将外部光线向不同方向散射。以下将简要说明形成包含凹槽/凸起的像素电极的常规方法的一实例。

首先,该实例常规方法可在衬底(例如,玻璃衬底)上对应于相应像素的相应位置上形成半导体元件如TFT。然后,该方法可形成多个用来给像素电极提供凹槽/凸起的凸起部件,并可进一步形成平面化膜以用该平面化膜覆盖该多个凸起部件。由于在平面化膜下存在多个凸起部件,在该多个凸起部件存在的影响下给平面化膜提供凹槽/凸起。然后,当像素电极在平面化膜上形成时,在平面化膜上的凹槽/凸起的影响下,给像素电极提供凹槽/凸起。

然而,以上提到的常规方法具有一问题:该方法需要相当贵的制作费用,因为该方法要求不仅形成平面化膜而且形成多个凸起部件以给像素电极提供凹槽/凸起。

从上述情况的观点来看,本发明的目标是提供一种液晶显示设备和以低制造费用形成电极和像素电极的方法。

发明概述

为了实现以上所述的目标,本发明提供一种形成电极的方法。该方法包括第一步,形成具有光敏性的光敏膜,第二步,将所述光敏膜曝光以使不同量的曝光能量可应用到所述光敏膜上的一特定的区域和另一区域,第三步,显影所述已曝光光敏膜,以及第四步,在所述已显影光敏膜上形成电极。

在第二步中,依照本发明的这种形成电极的方法将所述光敏膜曝光以使不同量的曝光能量能应用到所述光敏膜的不同区域。因此,通过在第三个过程中显影光敏膜,具有不同深度的凹槽可在光敏膜的表面形成。通过调节应用到光敏膜上的曝光能量的量,可改变凹槽的深度以使具有所要深度的凹槽可在光敏膜的表面形成。因此,如果在包含这样凹槽的平面化膜上形成电极,则该电极可遵循平面化膜的表面形状,这样给电极提供凹槽/凸起。这样,按照形成电极的发明方法,通过在光敏膜自身上形成凹槽而给电极提供凹槽/凸起是可能的。因此,在形成具有凹槽/凸起的电极的情况下,该发明方法需要形成这种光敏膜而不需要形成任何用于给这种光敏膜提供凹槽/凸起的凸起部件,这样可降低费用。

此发明也提供了一种在衬底上分别对应于像素的位置上形成像素电极的方法。该方法包括在衬底上分别对应于像素的位置上形成半导体元件的第一步,在其上形成有所述半导体元件的所述衬底上形成具有光敏性的光敏膜的第二步,将所述光敏膜曝光以使不同量的曝光能量可应用到所述光敏膜上的一特定区域和另一区域的第三步,显影所述已曝光光敏膜的第四步和在所述已显影光敏膜上形成所述像素电极的第五步。

在第三步中,依照本发明的这种形成像素电极的方法将所述光敏膜曝光以使不同量的曝光能量可应用到所述光敏膜的不同区域。因此,通过调节应用到光敏膜上的曝光能量的量,具有所要深度的凹槽可在光敏膜的表面形成。因此,当在包含这样凹槽的光敏膜上形成像素电极时,可给该像素电极提供凹槽/凸起而不用在光敏膜下形成凸起部件。这样,例如在通过使用依照本发明形成像素电极的方法来制造反射型液晶显示设备的情况下,能以低制造费用来制造该反射型液晶显示设备。

优选地,上述形成像素电极的方法可在所述第一步后所述第二步前进一步包括第六步:在所述衬底上形成单层膜或多层膜以用所述单层或多层膜覆盖所述半导体元件。

通过在形成光敏膜之前形成单层膜或多层膜,由于该单层膜或多层膜存在于半导体元件和光敏膜之间,可防止半导体元件的特性变化。

此外,本发明公开一被提供以衬底的液晶显示设备,半导体元件在该衬底上分别对应于像素的位置上形成。该设备包括在所述衬底上形成的光敏膜,并且该光敏膜在每个分别对应于像素的位置上具有多个凹槽。进一步,该设备包括在分别对应于像素的位置上形成的像素电极以用所述像素电极覆盖所述光敏膜的所述多个凹槽。

附图简述

图1是在用于液晶显示设备的衬底上的对应于一个像素的部分的放大横截面图;

图2示出在TFT已形成之后,图1中所示的衬底部分的放大横截面图;

图3示出当对平面化膜9进行曝光时,相同衬底部分的放大横截面图;

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