[发明专利]发光二极管及半导体激光

权利要求书

1、一种紫外线发光二极管，其特征在于表示仅已于透明基板上层合的能带隙附近的固有发光的n型ZnO层上，层合由SrCu₂O₂、CuAlO₂或CuGaO₂而成的p型半导体中的一种并予形成的p-n接合而成。

2、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，透明基板为单晶基板。

3、如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，单晶基板为已平坦化成原子状的三氧化二钇部分安定化氧化锆(YSZ)(111)基板。

4、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，于透明基板及ZnO层的间插入透明电极作为ZnO层侧电极。

5、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，于p型半导体层上层合Ni作为p型半导体层侧电极。

6、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，于透明基板上具有异质外延成长的铟锡氧化物(ITO)层为透明负电极层，于ITO层上具有异质外延成长的ZnO层为发光层，于ZnO层上具有以p型半导体层为正孔植入层，于p型半导体层上具有以Ni层为正电极层。

7、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，采用于Sr位置上已取代一价金属元素20原子％以下的SrCu₂O₂薄膜。

8、如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，于透明基板上在基板温度200～1200℃成膜n型ZnO，再者于其上在基板温度200～800℃成膜由SrCu₂O₂而成的p型半导体层。

9、如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，于透明基板上在基板温度200～1200℃成膜n型ZnO，再者于其上在基板温度500～800℃成膜以由CuAlO₂或CuGaO₂而成的p型半导体层。

10、如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，于透明基板上在不加热基板下，成膜n型ZnO，于该ZnO膜表面上照射紫外线并进行结晶化，再者于其上在不加热基板下成膜以由SrCu₂O₂、CuAlO₂或CuGaO₂而成的p型半导体层，于该p型半导体层上照射紫外线并进行结晶化。

11、如权利要求8-10任一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，采用由光学研磨三氧化二钇部分安定化氧化锆(YSZ)单晶，加热至1000～1300℃使成原子状平坦化构造的透明基板。

12、一种半导体激光，其特征在于，表示仅已于透明基板上层合的能带隙附近的固有发光的n型ZnO层上，层合由SrCu₂O₂、CuAlO₂或CuGaO₂而成的p型半导体中的一种并予形成的p-n接合，n型ZnO层于单晶基板上经予异质外延成长的Mg取代ZnO上使异质外延成长者，具有以载体浓度较低的p型半导体为正孔植入层，于载体浓度较低的p型半导体层上具有载体浓度较高的p型半导体层。