[发明专利]超微粒子混晶氧化物及其制造方法和用途有效
申请号: | 01804495.6 | 申请日: | 2001-02-02 |
公开(公告)号: | CN1398240A | 公开(公告)日: | 2003-02-19 |
发明(设计)人: | 田中淳;富川伸一郎 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | C01G23/07 | 分类号: | C01G23/07 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩,陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微粒子 氧化物 及其 制造 方法 用途 | ||
1.一种超微粒子混晶氧化物的制造方法,其特征在于在用氧化性气体中高温氧化卤化金属的金属氧化物的气相制造方法中,卤化金属是含有选自钛、硅和铝的氯化物、溴化物、碘化物的至少两种以上不同金属元素的化合物的混合气体(混合卤化金属气体),通过将该混合卤化金属气体和氧化性气体分别预热到500℃或以上之后,分别以10m/秒或以上的流速供给到反应管中进行反应,制造BET比表面积为10~200m2/g的、含有混晶状态的原始粒子的超微粒子混晶氧化物;
2.如权利要求1记载的超微粒子混晶氧化物的制造方法,其中,混合卤化金属气体是将选自钛、硅和铝的氯化物、溴化物、碘化物的至少两种或以上不同金属元素的化合物单独气体之后以气体状态混合。
3.如权利要求1或2记载的超微粒子混晶氧化物的制造方法,其中钛、硅和铝的氯化物、溴化物、碘化物选自TiCl2、TiCl3、TiCl4、TiBr3、TiBr4、SiCl4、Si2Cl6、Si3Cl8、Si3Cl10、Si5Cl12、Si10Cl12、SiBr4、Si2Br6、Si3Br8、Si4Br10、SiI4、Si2I6、SiCl2I2、SiClI3、SiBr3I、SiHI3、SiCl3I、SiH3Br、SiH2Br2、SiHBr3、SiCl3Br、SiCl2Br2、SiClBr3、AlCl3、AlBr3和AlI3。
4.如权利要求1记载的超微粒子混晶氧化物的制造方法,其中所说的反应是通过将分别预热到500℃或以上的混合卤化金属气体和氧化性气体分别以10m/秒或以上的流速供给到反应管中进行的
5.如权利要求1记载的超微粒子混晶氧化物的制造方法,其中在上述反应管内,在该反应管内的温度超过600℃的高温条件下,使上述混合卤化金属气体和氧化性气体滞留1秒或以下的时间来进行反应。
6.如权利要求1记载的超微粒子混晶氧化物的制造方法,其中上述反应管内的气体平均流速为5m/秒或以上。
7.如权利要求1记载的超微粒子混晶氧化物的制造方法,其中预热的混合卤化金属气体和氧化性气体被供给到反应管内,产生湍流。
8.如权利要求1记载的超微粒子混晶氧化物的制造方法,其中上述混合卤化金属气体和氧化性气体是通过同轴平行流的喷嘴供给到反应管内,并且,该同轴平行流喷嘴的内管内径为50nm或以下。
9.如权利要求1记载的超微粒子混晶氧化物的制造方法,其中上述混合卤化金属气体的浓度为10~100体积%。
10.如权利要求1记载的超微粒子混晶氧化物的制造方法,其中将上述混合卤化金属气体和氧化性气体预热的温度为800℃或以上。
11.通过权利要求1到10项的任意一项记载的方法制造的超微粒子混晶氧化物。
12.如权利要求11记载的超微粒子混晶氧化物,其中含有BET比表面积为10~200m2/g、并且在原始粒子内存在钛-氧-硅键的混晶。
13.如权利要求11记载的超微粒子混晶氧化物,其中含有BET比表面积为10~200m2/g、并且在原始粒子内存在钛-氧-铝键的混晶。
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