[发明专利]触点结构及其制造方法以及使用该触点结构的探针接触装置无效
申请号: | 01804700.9 | 申请日: | 2001-12-08 |
公开(公告)号: | CN1398448A | 公开(公告)日: | 2003-02-19 |
发明(设计)人: | 周豫;余大江;罗伯特·爱德华·阿尔达斯;西奥多·A·库利 | 申请(专利权)人: | 株式会社鼎新;鼎新美国研究中心 |
主分类号: | H01R13/00 | 分类号: | H01R13/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 刘兴鹏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触点 结构 及其 制造 方法 以及 使用 探针 接触 装置 | ||
1、一种用于建立与接触目标的电连接的触点结构,包括:
一具有从上表面到下表面的通孔的触点基片;
多个由导电材料组成的接触器,所述接触器被垂直地安装在触点基片的水平表面上,所述每个接触器包括沿垂直方向插入设置在触点基片上的通孔中的中间部分、和所述中间部分相连并位于所述接触器一端的接触部分、被设置在接触器另一端的基本部分、以及一个具有相对于触点基片向上倾斜的悬臂形状的弹簧部分,该弹簧部分被设置在所述基本部分和中间部分之间,该接触部分作为一个触点和接触目标电连接,其特征在于:
当接触器被压靠在接触目标上时,所述弹簧部分施加弹性接触力。
2、一种根据权利要求1所述用于建立与接触目标的电连接的触点结构,其特征在于:所述触点基片由一个不导电基片组成或由多个不导电基片彼此连接在一起而组成,通过蚀刻工艺在所述触点基片上产生所述通孔。
3、一种根据权利要求1所述用于建立与接触目标的电连接的触点结构,其特征在于:所述每个接触器在中间部分具有凸缘形状,以便装配在触点基片上。
4、一种根据权利要求1所述用于建立与接触目标的电连接的触点结构,其特征在于:所述触点基片由三层彼此结合在一起的半导体晶片组成,在所述半导体晶片上具有通孔,利用所述通孔安装接触器。
5、一种根据权利要求1所述用于建立与接触目标的电连接的触点结构,其特征在于:在一个基片的平表面上的水平方向上制造所述接触器,然后将所述接触器从该平基片上拆卸下并沿垂直方向将其安装在触点基片上。
6、一种根据权利要求1所述用于建立与接触目标的电连接的触点结构,其特征在于:在所述触点基片的外边缘上具有结合机构,用于将其它触点基片连接到外边缘上,以便产生一个具有任意尺寸和数量的接触器的接触器装置。
7、一种根据权利要求6所述用于建立与接触目标的电连接的触点结构,其特征在于:所述结合机构包括用下述方式设置在触点基片外边缘上的齿和凹槽,即一个边缘上的结合齿和凹槽与其它触点基片相反边缘上的结合齿和凹槽结合,因此组装多个触点基片以形成具有所希望尺寸、形状和接触器数量的接触器装置。
8、一种根据权利要求1所述用于建立与接触目标的电连接的触点结构,其特征在于:所述触点基片由硅制成。
9、一种根据权利要求1所述用于建立与接触目标的电连接的触点结构,其特征在于:所述触点基片由不导电材料制成,所述不导电材料包括聚酰亚胺、陶瓷或玻璃。
10、一种用于制造触点结构的方法,包括如下步骤:
(a)在硅基片的表面上形成牺牲层;
(b)在所述牺牲层上形成光致抗蚀剂层;
(c)使一个光掩膜在光致抗蚀剂层上准确定位,利用通过所述光掩膜的紫外线对光致抗蚀剂层进行曝光,该光掩膜包含接触器的图象;
(d)对光致抗蚀剂层表面上的接触器的图象的图案进行显影;
(e)通过在光致抗蚀剂层上的所述图案内沉积导电材料,形成由导电材料组成的接触器,每个接触器具有中间部分、位于接触器下端并从所述中间部分延伸的接触部分、在接触器上端的基本部分、以及向上倾斜并形成在所述基本部分和中间部分之间的弹簧部分;
(f)剥离所述光致抗蚀剂层;
(g)利用蚀刻工艺将所述牺牲层清除掉,从而接触器和所述硅基片分开;
(h)将该接触器安装在具有通孔的触点基片上,所述通孔用于容纳接触器的端部,因而每个接触器的至少一端被用作用于电连接的接触垫。
11、一种根据权利要求10所述的用于制造触点结构的方法,其特征在于:通过沉积导电材料形成接触器之后,该方法还包括在接触器上设置一胶带,从而接触器的上表面被粘结在胶带上。
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