[发明专利]通信装置

权利要求书

1.一种包括有一种集成电路的通信装置，其中所述集成电路包括：

调节缓冲层；

覆盖着所述调节缓冲层的化合物半导体部分，其中所述化合物半导体部分包括选自放大器、调制电路和解调电路的一个元件；

IV族半导体部分，包括与所述元件相连的数字逻辑部分。

2.如权利要求1所述的通信装置，其中所述化合物半导体部分具有相对于调节缓冲层的晶体取向旋转大约45°的晶体取向。

3.如权利要求2所述的通信装置，其中：

所述集成电路还包括位于化合物半导体部分下面的单晶IV族衬底；并且

所述调节缓冲层具有相对于单晶IV族衬底的晶体取向旋转大约45°的晶体取向。

4.如权利要求3所述的通信装置，其中所述调节缓冲层以及所述化合物半导体部分具有不大于约2.0％的晶格失配，并且所述化合物半导体部分的厚度至少约为20nm。

5.如权利要求1所述的通信装置，其中所述集成电路具有选自以下组特征的一个特征：

所述调节缓冲层具有相对于所述化合物半导体部分的晶体取向旋转大约45°的晶体取向；

所述调节缓冲层以及所述化合物半导体部分具有不大于约2.0％的晶格失配，并且所述化合物半导体部分的厚度至少约为20nm。

6.如权利要求所述的通信装置，其中所述集成电路还包括位于单晶化合物半导体部分下面的单晶IV族衬底，其中：

所述调节缓冲层具有相对于所述单晶IV族衬底的晶体取向旋转大约45°的晶体取向；

所述调节缓冲层以及所述化合物半导体部分具有不大于约2.0％的晶格失配，并且所述化合物半导体部分的厚度至少约为20nm。

7.如权利要求1所述的集成电路，其中：所述调节缓冲层以及所述化合物半导体部分具有不大于约2.0％的晶格失配，并且所述化合物半导体部分的厚度至少约为20nm。

8.一种通信装置，包括：

信号收发装置；

集成电路，它包括：

具有与信号收发装置相连的放大器的化合物半导体部分；

具有与放大器相连的数字信号处理装置的IV族半导体部分；以及

与集成电路相连的单元。

9.如权利要求8所述的通信装置，其中所述通信装置包括便携式电话。

10.如权利要求8所述的集成电路，其中所述通信装置为蜂窝电话。

11.如权利要求8所述的通信装置，其中所述IV族半导体部分包括选自数字-模拟转换器和模拟-数字转换器的转换器，其中所述转换器与所述单元相连。

12.如权利要求8所述的通信装置，其中所述单元选自键盘、麦克风、扬声器、视频显示器和存储器装置。

13.如权利要求8所述的通信装置，其中：

所述IV族半导体部分包括双极部分和场效应部分；并且

所述双极部分包括与数字信号处理装置和放大器相连的信号调制装置。

14.如权利要求8所述的通信装置，其中所述化合物半导体部分还包括信号调制装置。

15.如权利要求8所述的通信装置，其中：

所述信号收发装置包括天线；

所述放大器为III-V族半导体功率放大器；

所述集成电路包括一个双极部分，该双极部分具有连接到III-V族半导体功率放大器和数字信号处理装置的射频到中频混合器；

所述单元包括麦克风；并且

所述通信装置还包括扬声器。